창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SMBJ5359CE3/TR13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SMB(G,J)5333B-88B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 24V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 3.5옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 17.3V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DO-214AA, SMB | |
| 공급 장치 패키지 | SMBJ(DO-214AA) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SMBJ5359CE3/TR13 | |
| 관련 링크 | SMBJ5359C, SMBJ5359CE3/TR13 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
|  | ASPI-0504-221K-T | 220µH Unshielded Wirewound Inductor 350mA 1.57 Ohm Max Nonstandard | ASPI-0504-221K-T.pdf | |
|  | RG1608P-2492-W-T5 | RES SMD 24.9K OHM 1/10W 0603 | RG1608P-2492-W-T5.pdf | |
|  | HSMR-C110-J00L5 | HSMR-C110-J00L5 AGILENT SMD or Through Hole | HSMR-C110-J00L5.pdf | |
|  | TLE4806G | TLE4806G INFINEON SOP14 | TLE4806G.pdf | |
|  | RC05F2002 | RC05F2002 YAG RES | RC05F2002.pdf | |
|  | NX1117C25Z | NX1117C25Z NXP SMD or Through Hole | NX1117C25Z.pdf | |
|  | 2A05G/2A05G-01 | 2A05G/2A05G-01 TaiwanSe DIODERE | 2A05G/2A05G-01.pdf | |
|  | SUP85N1010 | SUP85N1010 VISHAY TO-220 | SUP85N1010.pdf | |
|  | CY8C21334-21PVX | CY8C21334-21PVX CY SMD or Through Hole | CY8C21334-21PVX.pdf | |
|  | BAT18-05E6327 | BAT18-05E6327 INFINEON SMD or Through Hole | BAT18-05E6327.pdf | |
|  | PQO7VR5MHZP | PQO7VR5MHZP SHARP SOT-252-6 | PQO7VR5MHZP.pdf | |
|  | D5CN-881M50-D1N4-R//881MHZ/836MHZ//9PAD | D5CN-881M50-D1N4-R//881MHZ/836MHZ//9PAD FUJITSU 5 5MM | D5CN-881M50-D1N4-R//881MHZ/836MHZ//9PAD.pdf |