창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SMBJ5359B/TR13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SMB(G,J)5333B-88B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 24V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 3.5옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 17.3V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DO-214AA, SMB | |
| 공급 장치 패키지 | SMBJ(DO-214AA) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SMBJ5359B/TR13 | |
| 관련 링크 | SMBJ5359, SMBJ5359B/TR13 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 416F480X2ILT | 48MHz ±15ppm 수정 12pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F480X2ILT.pdf | |
![]() | IXFX38N80Q2 | MOSFET N-CH 800V 38A PLUS247 | IXFX38N80Q2.pdf | |
![]() | 4N36SR2VM | 4N36SR2VM FAIRCHILD SOP-6 | 4N36SR2VM.pdf | |
![]() | LSISAS1064E B2 | LSISAS1064E B2 LSI BGA | LSISAS1064E B2.pdf | |
![]() | RKP454KE TEL:82766440 | RKP454KE TEL:82766440 Renesas SMD or Through Hole | RKP454KE TEL:82766440.pdf | |
![]() | SLF12575T-220M3R2-PF | SLF12575T-220M3R2-PF TDK SMD | SLF12575T-220M3R2-PF.pdf | |
![]() | FRSR25 | FRSR25 BUSSMANN SMD or Through Hole | FRSR25.pdf | |
![]() | MCR100-8RLRAG | MCR100-8RLRAG ON SMD or Through Hole | MCR100-8RLRAG.pdf | |
![]() | MGF12012AR10KT-LF | MGF12012AR10KT-LF ORIGINAL SMD or Through Hole | MGF12012AR10KT-LF.pdf | |
![]() | D64A710 | D64A710 NEC SSOP20 | D64A710.pdf | |
![]() | S1165B29MC-N6O-TFG | S1165B29MC-N6O-TFG SII N A | S1165B29MC-N6O-TFG.pdf |