창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SMBJ5345AE3/TR13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SMB(G,J)5333B-88B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 8.7V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 2옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 6.25V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-214AA, SMB | |
공급 장치 패키지 | SMBJ(DO-214AA) | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SMBJ5345AE3/TR13 | |
관련 링크 | SMBJ5345A, SMBJ5345AE3/TR13 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | LP100F35CET | 10MHz ±30ppm 수정 20pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | LP100F35CET.pdf | |
![]() | 2SK1775-E | MOSFET N-CH 900V 8A TO-3P | 2SK1775-E.pdf | |
![]() | CMF504K7500FKEA | RES 4.75K OHM 1/4W 1% AXIAL | CMF504K7500FKEA.pdf | |
![]() | MBB02070D2200DRP00 | RES 220 OHM 0.6W 0.5% AXIAL | MBB02070D2200DRP00.pdf | |
![]() | 2305B-1HDCGI | 2305B-1HDCGI IDT SOP8 | 2305B-1HDCGI.pdf | |
![]() | TCM812FERCTR | TCM812FERCTR MICROCHIP SOT-143 | TCM812FERCTR.pdf | |
![]() | TPS6200DGSR | TPS6200DGSR TI SMD or Through Hole | TPS6200DGSR.pdf | |
![]() | FSRB190100RT000T | FSRB190100RT000T MU SMD or Through Hole | FSRB190100RT000T.pdf | |
![]() | RB2507 | RB2507 TOS KBPC | RB2507.pdf | |
![]() | MAX8510XK28(AED) | MAX8510XK28(AED) MAX SC70-5 | MAX8510XK28(AED).pdf | |
![]() | UPD4216165LE-60 | UPD4216165LE-60 NEC SMD or Through Hole | UPD4216165LE-60.pdf | |
![]() | NTR4170 | NTR4170 ON SOT-23 | NTR4170.pdf |