창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SMBJ4746CE3/TR13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SMB(G,J)4728-4764A | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 18V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 2W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 20옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 13.7V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-214AA, SMB | |
공급 장치 패키지 | SMBJ(DO-214AA) | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SMBJ4746CE3/TR13 | |
관련 링크 | SMBJ4746C, SMBJ4746CE3/TR13 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | 445W35D12M00000 | 12MHz ±30ppm 수정 18pF 50옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W35D12M00000.pdf | |
![]() | 26S330C | 33µH Shielded Wirewound Inductor 1.8A 100 mOhm Max Nonstandard | 26S330C.pdf | |
![]() | 100R-681G | 680nH Unshielded Inductor 159mA 620 mOhm Max Nonstandard, 2 Lead | 100R-681G.pdf | |
![]() | S-1132B25-I6T2G | S-1132B25-I6T2G SEIKO SOT663 | S-1132B25-I6T2G.pdf | |
![]() | MG50Q1ZS50 | MG50Q1ZS50 TOS 2-94D7A | MG50Q1ZS50.pdf | |
![]() | D4DS-K2 | D4DS-K2 OMRON SMD or Through Hole | D4DS-K2.pdf | |
![]() | TA7774 | TA7774 N/A N A | TA7774.pdf | |
![]() | SSB84-0R4 | SSB84-0R4 ORIGINAL SMD or Through Hole | SSB84-0R4.pdf | |
![]() | APT56F60L/APT56M60L | APT56F60L/APT56M60L Microsemi/APT TO-264 | APT56F60L/APT56M60L.pdf | |
![]() | MBB200GS6A | MBB200GS6A ORIGINAL SMD or Through Hole | MBB200GS6A.pdf | |
![]() | 48-200101-02 | 48-200101-02 WENYIH SMD | 48-200101-02.pdf | |
![]() | US3A-E3 | US3A-E3 ORIGINAL SMD DIP | US3A-E3.pdf |