창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SMBJ350CE3/TR13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
표준 포장 | 3,000 | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 다이오드 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
유형 | 제너 | |
단방향 채널 | - | |
양방향 채널 | 1 | |
전압 - 역스탠드오프(통상) | 350V | |
전압 - 항복(최소) | - | |
전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | - | |
전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | - | |
전력 - 피크 펄스 | 600W | |
전력선 보호 | 없음 | |
응용 제품 | 범용 | |
정전 용량 @ 주파수 | - | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-214AA, SMB | |
공급 장치 패키지 | SMBJ(DO-214AA) | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SMBJ350CE3/TR13 | |
관련 링크 | SMBJ350CE, SMBJ350CE3/TR13 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | CDZVT2R10B | DIODE ZENER 10V 100MW VMN2M | CDZVT2R10B.pdf | |
![]() | SDE0805A-331K | 330µH Unshielded Wirewound Inductor 650mA 1.2 Ohm Max Nonstandard | SDE0805A-331K.pdf | |
![]() | AM686BIA | AM686BIA AMD CAN | AM686BIA.pdf | |
![]() | XCS56311GC150 | XCS56311GC150 XILINX QFN | XCS56311GC150.pdf | |
![]() | C7500M-LAE1 | C7500M-LAE1 ORIGINAL QFP100 | C7500M-LAE1.pdf | |
![]() | ESDALC14v2-2BP5 | ESDALC14v2-2BP5 ST SC70-5 | ESDALC14v2-2BP5.pdf | |
![]() | K4G10325FE-H05 | K4G10325FE-H05 ORIGINAL BGA | K4G10325FE-H05.pdf | |
![]() | UCC81385D 14P | UCC81385D 14P ORIGINAL SMD or Through Hole | UCC81385D 14P.pdf | |
![]() | 1719DPC | 1719DPC N/A DIP-8 | 1719DPC.pdf | |
![]() | LP3961EMP-33 | LP3961EMP-33 ORIGINAL SMD or Through Hole | LP3961EMP-33.pdf | |
![]() | MC34606P | MC34606P MOTOROLA DIP-18 | MC34606P.pdf | |
![]() | MKT1822-415-014-W | MKT1822-415-014-W ROEDERSTEIN SMD or Through Hole | MKT1822-415-014-W.pdf |