창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SMBG9.0A-E3/5B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SMBG5.0A thru SMBG188CA | |
| 종류 | 회로 보호 | |
| 제품군 | TVS - 다이오드 | |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
| 계열 | TransZorb® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 유형 | 제너 | |
| 단방향 채널 | 1 | |
| 양방향 채널 | - | |
| 전압 - 역스탠드오프(통상) | 9V | |
| 전압 - 항복(최소) | 10V | |
| 전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | 15.4V | |
| 전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | 39A | |
| 전력 - 피크 펄스 | 600W | |
| 전력선 보호 | 없음 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 정전 용량 @ 주파수 | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DO-215AA, SMB 갈매기날개형 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-215AA(SMBG) | |
| 표준 포장 | 3,200 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SMBG9.0A-E3/5B | |
| 관련 링크 | SMBG9.0A, SMBG9.0A-E3/5B 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | BZD27C6V8P-M3-08 | DIODE ZENER 800MW SMF DO219-M3 | BZD27C6V8P-M3-08.pdf | |
![]() | PM638S-330-RC | 33µH Shielded Wirewound Inductor 1.1A 124 mOhm Max Nonstandard | PM638S-330-RC.pdf | |
![]() | AGQ210S1H | Telecom Relay DPDT (2 Form C) Surface Mount | AGQ210S1H.pdf | |
![]() | 3P84E9XZZ-QZR9 | 3P84E9XZZ-QZR9 SAMSUNG QFP | 3P84E9XZZ-QZR9.pdf | |
![]() | STD5NE10L1 | STD5NE10L1 st SMD or Through Hole | STD5NE10L1.pdf | |
![]() | NA18100-3009 | NA18100-3009 TSM SMD or Through Hole | NA18100-3009.pdf | |
![]() | 55615.303.059 | 55615.303.059 VARTAMICROBATTERY SMD or Through Hole | 55615.303.059.pdf | |
![]() | ES1CF-A | ES1CF-A KTG SMAFL | ES1CF-A.pdf | |
![]() | CMI321611J470KT | CMI321611J470KT HF SMD or Through Hole | CMI321611J470KT.pdf | |
![]() | DSEI2X61-04 | DSEI2X61-04 IXYS SMD or Through Hole | DSEI2X61-04.pdf | |
![]() | EKMH160VNN103MP30T | EKMH160VNN103MP30T NIPPON DIP | EKMH160VNN103MP30T.pdf | |
![]() | HT-V159TW | HT-V159TW HARVATEK ROHS | HT-V159TW.pdf |