창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SMBG5387AE3/TR13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SMBJ5333B-5388B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 190V | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전력 - 최대 | 5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 450옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 137V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DO-215AA, SMB 갈매기날개형 | |
| 공급 장치 패키지 | SMBG(DO-215AA) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SMBG5387AE3/TR13 | |
| 관련 링크 | SMBG5387A, SMBG5387AE3/TR13 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | HMC539LP3ETR | HMC539LP3ETR HITTITE QFN | HMC539LP3ETR.pdf | |
![]() | HEA3841CN | HEA3841CN ORIGINAL QFP | HEA3841CN.pdf | |
![]() | 02CZ9.1-Y(9V1) | 02CZ9.1-Y(9V1) TOSHIBA SOT-23 | 02CZ9.1-Y(9V1).pdf | |
![]() | 3CK100C | 3CK100C CHINA T0-18 | 3CK100C.pdf | |
![]() | BQ2057C-4.2 | BQ2057C-4.2 ROHM TSOP8 | BQ2057C-4.2.pdf | |
![]() | LD023-5W | LD023-5W ORIGINAL SMD or Through Hole | LD023-5W.pdf | |
![]() | KSP2907ATA_NL | KSP2907ATA_NL Fairchild SMD or Through Hole | KSP2907ATA_NL.pdf | |
![]() | TFMCJ40CA | TFMCJ40CA RECTRON SMCDO-214AB | TFMCJ40CA.pdf | |
![]() | LTN154X3-L06 | LTN154X3-L06 SAMSUNG SMD or Through Hole | LTN154X3-L06.pdf | |
![]() | RV1V336M6L009 | RV1V336M6L009 samwha DIP-2 | RV1V336M6L009.pdf | |
![]() | TLSM1100 | TLSM1100 TOSHIBA 1210 | TLSM1100.pdf | |
![]() | HZS4B3 | HZS4B3 HITACHI/RENESAS DO-34 | HZS4B3.pdf |