창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SMBG5386C/TR13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SMBJ5333B-5388B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 180V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 430옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 130V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-215AA, SMB 갈매기날개형 | |
공급 장치 패키지 | SMBG(DO-215AA) | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SMBG5386C/TR13 | |
관련 링크 | SMBG5386, SMBG5386C/TR13 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
VJ0805D181FLXAT | 180pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D181FLXAT.pdf | ||
RCH108NP-821K | 820µH Unshielded Inductor 500mA 1.8 Ohm Max Radial | RCH108NP-821K.pdf | ||
WU-B-E-3101G | WU-B-E-3101G VOSSLOH SMD or Through Hole | WU-B-E-3101G.pdf | ||
PCD80721HL/B00/3,5 | PCD80721HL/B00/3,5 NXP PCD80721HL LQFP80 RE | PCD80721HL/B00/3,5.pdf | ||
TEESVV0G337M | TEESVV0G337M NEC SMD | TEESVV0G337M.pdf | ||
2SC6011/2SA2151 | 2SC6011/2SA2151 SANKEN TO-3P | 2SC6011/2SA2151.pdf | ||
MCH6531 | MCH6531 SANYO SMD or Through Hole | MCH6531.pdf | ||
AM6TW-1215S-N | AM6TW-1215S-N MORNSUN SMD or Through Hole | AM6TW-1215S-N.pdf | ||
DP8570AV NOPB | DP8570AV NOPB NS SMD or Through Hole | DP8570AV NOPB.pdf | ||
2SC1734 | 2SC1734 ORIGINAL CAN | 2SC1734.pdf | ||
EKME350ETC101MHB5N+000 | EKME350ETC101MHB5N+000 NIP CAP | EKME350ETC101MHB5N+000.pdf | ||
PTN3-36F-% | PTN3-36F-% ORIGINAL SMD or Through Hole | PTN3-36F-%.pdf |