창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SMBG5361CE3/TR13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SMBJ5333B-5388B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 27V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 5옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 19.4V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-215AA, SMB 갈매기날개형 | |
공급 장치 패키지 | SMBG(DO-215AA) | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SMBG5361CE3/TR13 | |
관련 링크 | SMBG5361C, SMBG5361CE3/TR13 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | MS32 1R036 | ICL 1 OHM 25% 36A 30MM | MS32 1R036.pdf | |
![]() | 1N3269R | DIODE GEN PURP 600V 160A DO205AB | 1N3269R.pdf | |
![]() | 3090-821G | 820nH Unshielded Inductor 355mA 600 mOhm Max 2-SMD | 3090-821G.pdf | |
![]() | FM25L04C-G | FM25L04C-G RAMTRON SMD or Through Hole | FM25L04C-G.pdf | |
![]() | GL5537-2 | GL5537-2 SENBA DIP | GL5537-2.pdf | |
![]() | SP7541AXN | SP7541AXN SP DIP18 | SP7541AXN.pdf | |
![]() | 50v68000uf | 50v68000uf ORIGINAL 65x105 | 50v68000uf.pdf | |
![]() | MST7703-A-LF | MST7703-A-LF MSTARA QFP216 | MST7703-A-LF.pdf | |
![]() | TT31F226Z100CPJA | TT31F226Z100CPJA ORIGINAL SMD | TT31F226Z100CPJA.pdf | |
![]() | 1W= | 1W= RICHTEK SMD or Through Hole | 1W=.pdf |