창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SMBG5357BE3/TR13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SMBJ5333B-5388B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 20V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 3옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 14.4V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DO-215AA, SMB 갈매기날개형 | |
| 공급 장치 패키지 | SMBG(DO-215AA) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SMBG5357BE3/TR13 | |
| 관련 링크 | SMBG5357B, SMBG5357BE3/TR13 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | ECS-120.003-18-4 | 12.000393MHz ±30ppm 수정 18pF 60옴 -10°C ~ 70°C 스루홀 HC49/US | ECS-120.003-18-4.pdf | |
![]() | RT1210DRD0739R2L | RES SMD 39.2 OHM 0.5% 1/4W 1210 | RT1210DRD0739R2L.pdf | |
![]() | CW0054K000JE73 | RES 4K OHM 6.5W 5% AXIAL | CW0054K000JE73.pdf | |
![]() | L293B78 | L293B78 SHARP QFP | L293B78.pdf | |
![]() | SM5102-015-G | SM5102-015-G SMI SMD or Through Hole | SM5102-015-G.pdf | |
![]() | TPIC2802 | TPIC2802 TI ZIP | TPIC2802.pdf | |
![]() | 0805-523R | 0805-523R ORIGINAL SMD or Through Hole | 0805-523R.pdf | |
![]() | IRF3709L,IRF3705L,BD646,BD647,BD649,BD650 | IRF3709L,IRF3705L,BD646,BD647,BD649,BD650 POWER SMD or Through Hole | IRF3709L,IRF3705L,BD646,BD647,BD649,BD650.pdf | |
![]() | MK3P-100VAC | MK3P-100VAC OMRON SMD or Through Hole | MK3P-100VAC.pdf | |
![]() | CD90-V9925-3PTR | CD90-V9925-3PTR QUALCOMM QFN | CD90-V9925-3PTR.pdf | |
![]() | X600 216YDHAGA23FH | X600 216YDHAGA23FH ATI BGA | X600 216YDHAGA23FH.pdf | |
![]() | DTB1132KT146 | DTB1132KT146 ROHM SMD or Through Hole | DTB1132KT146.pdf |