창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SMBG5357AE3/TR13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SMBJ5333B-5388B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 20V | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전력 - 최대 | 5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 3옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 14.4V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DO-215AA, SMB 갈매기날개형 | |
| 공급 장치 패키지 | SMBG(DO-215AA) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SMBG5357AE3/TR13 | |
| 관련 링크 | SMBG5357A, SMBG5357AE3/TR13 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 875105144008 | 220µF 6.3V Aluminum - Polymer Capacitors Radial, Can - SMD 20 mOhm 2000 Hrs @ 105°C | 875105144008.pdf | |
![]() | ABL-13.560MHZ-B4Y-T | 13.56MHz ±30ppm 수정 18pF 50옴 -20°C ~ 70°C 스루홀 HC49/US | ABL-13.560MHZ-B4Y-T.pdf | |
![]() | M6-C | M6-C ATI BGA | M6-C.pdf | |
![]() | TMP68C711J6N | TMP68C711J6N TOS DIP64 | TMP68C711J6N.pdf | |
![]() | AM27C64-250DI | AM27C64-250DI AMD DIP-28 | AM27C64-250DI.pdf | |
![]() | M28S T/R | M28S T/R UTC TO92 | M28S T/R.pdf | |
![]() | MAX924ESE-T | MAX924ESE-T MAXIM SOP16 | MAX924ESE-T.pdf | |
![]() | M62823FP | M62823FP MITSUBIS SOP16 | M62823FP.pdf | |
![]() | FAR-C3CN-08000-G01-R(3*7) | FAR-C3CN-08000-G01-R(3*7) FUJITSU SMD or Through Hole | FAR-C3CN-08000-G01-R(3*7).pdf | |
![]() | GNT-650 Ver2 | GNT-650 Ver2 GAON SMD or Through Hole | GNT-650 Ver2.pdf | |
![]() | TQD100ZGE-AN | TQD100ZGE-AN Power-One SMD or Through Hole | TQD100ZGE-AN.pdf | |
![]() | SKKL41/12E | SKKL41/12E SEMIKRON SMD or Through Hole | SKKL41/12E.pdf |