창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SMBG5356C/TR13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SMBJ5333B-5388B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 19V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 3옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 13.7V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-215AA, SMB 갈매기날개형 | |
공급 장치 패키지 | SMBG(DO-215AA) | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SMBG5356C/TR13 | |
관련 링크 | SMBG5356, SMBG5356C/TR13 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | 5KP36AHE3/54 | TVS DIODE 36VWM 58.1VC P600 | 5KP36AHE3/54.pdf | |
![]() | 416F2401XCKR | 24MHz ±10ppm 수정 8pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F2401XCKR.pdf | |
![]() | ET2835-041 | 2 Line Common Mode Choke Through Hole 2.5A DCR 190 mOhm | ET2835-041.pdf | |
![]() | CRCW20101R80JNEF | RES SMD 1.8 OHM 5% 3/4W 2010 | CRCW20101R80JNEF.pdf | |
![]() | MB3759PF-ER | MB3759PF-ER FUJITSU NA | MB3759PF-ER.pdf | |
![]() | LX-503WUC | LX-503WUC ORIGINAL SMD or Through Hole | LX-503WUC.pdf | |
![]() | AN1358S-V | AN1358S-V PANA SMD or Through Hole | AN1358S-V.pdf | |
![]() | 3072F C551000 | 3072F C551000 ORIGINAL NEW | 3072F C551000.pdf | |
![]() | PTVS51VP1UP,115 | PTVS51VP1UP,115 NXP SOD128 | PTVS51VP1UP,115.pdf | |
![]() | CXP80116-762Q | CXP80116-762Q SONY SMD or Through Hole | CXP80116-762Q.pdf | |
![]() | RYS105403R2A | RYS105403R2A TI QFP | RYS105403R2A.pdf |