Infineon Technologies SMBD7000E6327HTSA1
- 제조업체 부품 번호
- SMBD7000E6327HTSA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- 다이오드, 정류기 - 어레이
- 간단한 설명
- DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
SMBD7000E6327HTSA1 가격 및 조달
가능 수량
41550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 25.69881
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 SMBD7000E6327HTSA1 재고가 있습니다. 우리는 Infineon Technologies 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Infineon Technologies 전자 부품 전문. SMBD7000E6327HTSA1 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. SMBD7000E6327HTSA1가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- SMBD7000E6327HTSA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SMBD7000E6327HTSA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SMBD7000E6327HTSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MMBD,SMBD7000 | |
| PCN 단종/ EOL | Multi Device EOL 4/Feb/2016 | |
| PCN 포장 | Carrier Tape Update 03/Jun/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 생산 종료 | |
| 다이오드 구성 | 직렬 연결 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 100V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 200mA(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.25V @ 150mA | |
| 속도 | 소형 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | |
| 역회복 시간(trr) | 4ns | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 100V | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-SOT23-3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SMBD 7000 E6327 SMBD7000 SMBD7000E6327 SMBD7000E6327BTSA1 SMBD7000E6327XT SMBD7000INTR SMBD7000INTR-ND SMBD7000XTINTR SMBD7000XTINTR-ND SP000014938 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SMBD7000E6327HTSA1 | |
| 관련 링크 | SMBD7000E6, SMBD7000E6327HTSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
SMBD7000E6327HTSA1 의 관련 제품
 | VJ0805D2R1CLAAJ | 2.1pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D2R1CLAAJ.pdf | |
-Kemet.jpg) | C1206C225M8RALTU | 2.2µF 10V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C1206C225M8RALTU.pdf | |
 | 416F370XXADR | 37MHz ±15ppm 수정 18pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F370XXADR.pdf | |
 | ERJ-8ENF1151V | RES SMD 1.15K OHM 1% 1/4W 1206 | ERJ-8ENF1151V.pdf | |
| ERJ-L12UJ98MU | RES SMD 0.098 OHM 5% 1/2W 1812 | ERJ-L12UJ98MU.pdf | |
 | H8750KFZA | RES 750K OHM 1/4W 1% AXIAL | H8750KFZA.pdf | |
| K4V1G323PE-XGDP | K4V1G323PE-XGDP SAMSUNG TBGA | K4V1G323PE-XGDP.pdf | |
| BUX2508DX | BUX2508DX ORIGINAL TO-3P | BUX2508DX.pdf | |
| 21806.3XP | 21806.3XP LITTLEFUSE SMD or Through Hole | 21806.3XP.pdf | |
| DWF70BB40 | DWF70BB40 SANREX SMD or Through Hole | DWF70BB40.pdf | |
| SN74ALS191N | SN74ALS191N TEXAS DIP | SN74ALS191N.pdf | |
| LP3963ESX1.8 | LP3963ESX1.8 NATIONALSEMI SMD or Through Hole | LP3963ESX1.8.pdf |