창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SMAZ6V8-13-F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SMAZ5V1 - SMAZ39 | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1581 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.8V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 2옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 4V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DO-214AC, SMA | |
| 공급 장치 패키지 | SMA | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | SMAZ6V8-FDITR SMAZ6V813F | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SMAZ6V8-13-F | |
| 관련 링크 | SMAZ6V8, SMAZ6V8-13-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | 605SJR00800E | RES SMD 0.008 OHM 5% 1/2W L BEND | 605SJR00800E.pdf | |
![]() | HRG3216Q-28R7-D-T5 | RES SMD 28.7 OHM 0.5% 1W 1206 | HRG3216Q-28R7-D-T5.pdf | |
![]() | ZMBI100U4A-120 | ZMBI100U4A-120 FUJI SMD or Through Hole | ZMBI100U4A-120.pdf | |
![]() | HM62434PC52 | HM62434PC52 HITACHI DIP | HM62434PC52.pdf | |
![]() | LT3728LENG | LT3728LENG LT SSOP | LT3728LENG.pdf | |
![]() | UPD65806GM-079-8EU | UPD65806GM-079-8EU NEC QFP | UPD65806GM-079-8EU.pdf | |
![]() | CS4610-CM EP | CS4610-CM EP CAYSTAL QFP-100 | CS4610-CM EP.pdf | |
![]() | LT3491B1 | LT3491B1 LT SMD or Through Hole | LT3491B1.pdf | |
![]() | PIC18F45K20-I/MV | PIC18F45K20-I/MV MICROCHIP QFN40 | PIC18F45K20-I/MV.pdf | |
![]() | SC14408B | SC14408B NS QFP130 | SC14408B.pdf | |
![]() | 21FTZ-SM1-GAN-1-TB(LF)(SN) | 21FTZ-SM1-GAN-1-TB(LF)(SN) JST SMD | 21FTZ-SM1-GAN-1-TB(LF)(SN).pdf | |
![]() | PM7250CRAY | PM7250CRAY ORIGINAL CAN-8 | PM7250CRAY.pdf |