창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SMAZ5941B-M3/61 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SMAZ5919B thru SMAZ5945B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 47V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 67옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 35.8V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-214AC, SMA | |
공급 장치 패키지 | DO-214AC | |
표준 포장 | 1,800 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SMAZ5941B-M3/61 | |
관련 링크 | SMAZ5941B, SMAZ5941B-M3/61 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | HSA252R2J | RES CHAS MNT 2.2 OHM 5% 25W | HSA252R2J.pdf | |
![]() | EP2210GF256C8N | EP2210GF256C8N ALTERA BGA | EP2210GF256C8N.pdf | |
![]() | LFEC6E-4TN144C-3I | LFEC6E-4TN144C-3I LATTICE QFP | LFEC6E-4TN144C-3I.pdf | |
![]() | 32x4-7 DDR | 32x4-7 DDR ORIGINAL SMD or Through Hole | 32x4-7 DDR.pdf | |
![]() | D75517-279 | D75517-279 ORIGINAL SMD or Through Hole | D75517-279.pdf | |
![]() | CXD2052Q | CXD2052Q SONY QFP | CXD2052Q.pdf | |
![]() | A103NFT-3.3(3.3V) | A103NFT-3.3(3.3V) ADD SMD or Through Hole | A103NFT-3.3(3.3V).pdf | |
![]() | T20-C230X | T20-C230X EPCOS SMD or Through Hole | T20-C230X.pdf | |
![]() | AP9A127-10TC | AP9A127-10TC MEMORY SMD | AP9A127-10TC.pdf | |
![]() | 65022 | 65022 SWITCHCRAFT SMD or Through Hole | 65022.pdf | |
![]() | TMS320LF2407APGEEA | TMS320LF2407APGEEA TI LQFP-144 | TMS320LF2407APGEEA.pdf | |
![]() | IL66-3-X007 | IL66-3-X007 VIS/INF DIP SOP6 | IL66-3-X007.pdf |