창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SMAJ5932E3/TR13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SMAJ5913 - 5956, e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 20V | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 14옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 15.2V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DO-214AC, SMA | |
| 공급 장치 패키지 | DO-214AC(SMAJ) | |
| 표준 포장 | 7,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SMAJ5932E3/TR13 | |
| 관련 링크 | SMAJ5932E, SMAJ5932E3/TR13 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 9B-24.000MAAE-B | 24MHz ±30ppm 수정 12pF 30옴 -20°C ~ 70°C 스루홀 HC49/US | 9B-24.000MAAE-B.pdf | |
![]() | 0402R-3N9K | 3.9nH Unshielded Wirewound Inductor 840mA 66 mOhm Max 2-SMD | 0402R-3N9K.pdf | |
![]() | CP0402A1747DNTR | CP0402A1747DNTR AVX SMD or Through Hole | CP0402A1747DNTR.pdf | |
![]() | CD22203 | CD22203 CS DIP | CD22203.pdf | |
![]() | BZC49-C5V6 | BZC49-C5V6 PHILIPS SOT-89 | BZC49-C5V6.pdf | |
![]() | MX7224KCWN-T | MX7224KCWN-T MAXIM SMD or Through Hole | MX7224KCWN-T.pdf | |
![]() | SMW250(04) | SMW250(04) ORIGINAL SMD or Through Hole | SMW250(04).pdf | |
![]() | TC4S01F-TE85R | TC4S01F-TE85R TOSHIBA SMV5 | TC4S01F-TE85R.pdf | |
![]() | SMCG18CHE3/57T | SMCG18CHE3/57T VISHAY SMCG | SMCG18CHE3/57T.pdf | |
![]() | EN25F40-100HIP | EN25F40-100HIP EON SOP-8 | EN25F40-100HIP.pdf | |
![]() | IX2002CE | IX2002CE SHARP DIP64 | IX2002CE.pdf | |
![]() | TZBX4Z060BA110T00 6P | TZBX4Z060BA110T00 6P MUMRA 4 4 | TZBX4Z060BA110T00 6P.pdf |