창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SMAJ5932AE3/TR13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SMAJ5913 - 5956, e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 20V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 3W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 14옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 15.2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-214AC, SMA | |
공급 장치 패키지 | DO-214AC(SMAJ) | |
표준 포장 | 7,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SMAJ5932AE3/TR13 | |
관련 링크 | SMAJ5932A, SMAJ5932AE3/TR13 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | RE0603DRE07536KL | RES SMD 536K OHM 0.5% 1/10W 0603 | RE0603DRE07536KL.pdf | |
![]() | CRGV2010F1M69 | RES SMD 1.69M OHM 1% 1/2W 2010 | CRGV2010F1M69.pdf | |
![]() | 10W350MΩ | 10W350MΩ ORIGINAL SMD or Through Hole | 10W350MΩ.pdf | |
![]() | IRGPH40FD | IRGPH40FD ORIGINAL IGBT | IRGPH40FD.pdf | |
![]() | KBP302G | KBP302G SEP DIP-4 | KBP302G.pdf | |
![]() | TA78DS24 | TA78DS24 TOSHIBA SOT-89 | TA78DS24.pdf | |
![]() | SMMJ64CTR-13 | SMMJ64CTR-13 Microsemi DO-214ABSMC | SMMJ64CTR-13.pdf | |
![]() | LLQ1K151MHSZ | LLQ1K151MHSZ NICHICON DIP | LLQ1K151MHSZ.pdf | |
![]() | 2117219-2 | 2117219-2 AMP SMD or Through Hole | 2117219-2.pdf | |
![]() | LT431MJ8 | LT431MJ8 LT CDIP8 | LT431MJ8.pdf | |
![]() | XB1085P251JR-G | XB1085P251JR-G TOREX SOT-252 | XB1085P251JR-G.pdf | |
![]() | GN1A4M-D-T1 TEL:82766440 | GN1A4M-D-T1 TEL:82766440 NEC SOT-323 | GN1A4M-D-T1 TEL:82766440.pdf |