창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SMAJ5931AE3/TR13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SMAJ5913 - 5956, e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 18V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 3W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 12옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 13.7V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-214AC, SMA | |
공급 장치 패키지 | DO-214AC(SMAJ) | |
표준 포장 | 7,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SMAJ5931AE3/TR13 | |
관련 링크 | SMAJ5931A, SMAJ5931AE3/TR13 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | C917U620JYSDBAWL45 | 62pF 400VAC 세라믹 커패시터 SL 방사형, 디스크 0.315" Dia(8.00mm) | C917U620JYSDBAWL45.pdf | |
![]() | SIT8924BA-23-33E-12.000000E | OSC XO 3.3V 12MHZ OE | SIT8924BA-23-33E-12.000000E.pdf | |
![]() | UF5408-E3/54 | DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD | UF5408-E3/54.pdf | |
![]() | PCC-NB655-P02 | PCC-NB655-P02 RCC BGA | PCC-NB655-P02.pdf | |
![]() | CT0805CSF-080J | CT0805CSF-080J CENTRAL SMD | CT0805CSF-080J.pdf | |
![]() | WCMA1008C1X | WCMA1008C1X CYPRESS TSSOP | WCMA1008C1X.pdf | |
![]() | B65807JY38 | B65807JY38 TDK-EPC SMD or Through Hole | B65807JY38.pdf | |
![]() | IFX2931GV50TR | IFX2931GV50TR Infineon SMD or Through Hole | IFX2931GV50TR.pdf | |
![]() | D27128B150V05 | D27128B150V05 INT CDIP W | D27128B150V05.pdf | |
![]() | TNA3057P | TNA3057P ORIGINAL DIPSOP | TNA3057P.pdf | |
![]() | MAX4507CPE | MAX4507CPE MAXIM DIP | MAX4507CPE.pdf | |
![]() | ML308AT | ML308AT ML CAN-8 | ML308AT.pdf |