창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SLA116LF0F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | SLA116LF0F | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | QFP-48P | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | SLA116LF0F | |
| 관련 링크 | SLA116, SLA116LF0F 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
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![]() | SIT8209AI-82-33E-100.000000T | OSC XO 3.3V 100MHZ OE | SIT8209AI-82-33E-100.000000T.pdf | |
![]() | SLX-LX3044GT | SLX-LX3044GT LUMEX ROHS | SLX-LX3044GT.pdf | |
![]() | LS1808B102K302NT | LS1808B102K302NT NOVACAP SMD or Through Hole | LS1808B102K302NT.pdf | |
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![]() | CNB2E5ZTTE103J | CNB2E5ZTTE103J KOA SMD or Through Hole | CNB2E5ZTTE103J.pdf | |
![]() | M368L6423JUN-CCC (DDR1/ 512M/ 400/ SO-DI | M368L6423JUN-CCC (DDR1/ 512M/ 400/ SO-DI Samsung SMD or Through Hole | M368L6423JUN-CCC (DDR1/ 512M/ 400/ SO-DI.pdf | |
![]() | HC14AF* | HC14AF* TOSHIBA SMD or Through Hole | HC14AF*.pdf | |
![]() | GF-GO7600-BE-N-B1 | GF-GO7600-BE-N-B1 NVIDIA BGA | GF-GO7600-BE-N-B1.pdf | |
![]() | 2SA1115F | 2SA1115F TOSHIBA DIP | 2SA1115F.pdf | |
![]() | UCN5810A-E | UCN5810A-E ALLEGRO DIP-18 | UCN5810A-E.pdf | |
![]() | TTW-F12S80Y3 | TTW-F12S80Y3 ORIGINAL SMD or Through Hole | TTW-F12S80Y3.pdf |