창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SKI04033 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SKI04033 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Sanken | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4.5V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.8m옴 @ 58.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 63.2nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3910pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 116W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | TO-263 | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | SKI04033 DK SKI04033TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SKI04033 | |
| 관련 링크 | SKI0, SKI04033 데이터 시트, Sanken 에이전트 유통 | |
![]() | VJ2225Y103JBBAT4X | 10000pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 2225(5763 미터법) 0.226" L x 0.250" W(5.74mm x 6.35mm) | VJ2225Y103JBBAT4X.pdf | |
![]() | ASGTX-P-149.875MHZ-2 | 149.875MHz LVPECL VCTCXO Oscillator Surface Mount 3.135 V ~ 3.465 V 60mA | ASGTX-P-149.875MHZ-2.pdf | |
![]() | NVMFD5875NLWFT1G | MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL | NVMFD5875NLWFT1G.pdf | |
![]() | 1331-332H | 3.3µH Shielded Inductor 185mA 1.3 Ohm Max 2-SMD | 1331-332H.pdf | |
![]() | DS1075Z-080 | DS1075Z-080 DS SOP8 | DS1075Z-080.pdf | |
![]() | TD61N1400KOF | TD61N1400KOF EUPEC SMD or Through Hole | TD61N1400KOF.pdf | |
![]() | IRF630NL | IRF630NL IR SMD or Through Hole | IRF630NL.pdf | |
![]() | IXA125QB | IXA125QB SHARP DIP | IXA125QB.pdf | |
![]() | RPAF-024-S | RPAF-024-S SHINMEI DIP-SOP | RPAF-024-S.pdf | |
![]() | IRS2106STRP | IRS2106STRP IR SMD or Through Hole | IRS2106STRP.pdf | |
![]() | XWM8720EDS | XWM8720EDS WM SSOP28 | XWM8720EDS.pdf | |
![]() | MB43470 | MB43470 FUJITSU DIP-18 | MB43470.pdf |