창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIZ300DT-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIZ300DT | |
제품 교육 모듈 | 30 V TrenchFET Gen IV MOSFET and PowerPAIR | |
주요제품 | PowerPAIR® | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N 채널(하프브리지) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A, 28A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 24밀리옴 @ 9.8A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 400pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 16.7W, 31W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-PowerPair® | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIZ300DT-T1-GE3TR SIZ300DTT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIZ300DT-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIZ300DT-, SIZ300DT-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
RC73A2X1002FT | RC73A2X1002FT SMECINCORPORATED SMD or Through Hole | RC73A2X1002FT.pdf | ||
BZX384B4V7-V-GS08 | BZX384B4V7-V-GS08 VISHAY SMD or Through Hole | BZX384B4V7-V-GS08.pdf | ||
LA3101 | LA3101 BANEAS DIP14 | LA3101.pdf | ||
DIP0.22UF 50V 4*7 | DIP0.22UF 50V 4*7 ORIGINAL SMD or Through Hole | DIP0.22UF 50V 4*7.pdf | ||
KA5Q1565RFYDTU TO3PF-5L | KA5Q1565RFYDTU TO3PF-5L ORIGINAL TO3PF-5L | KA5Q1565RFYDTU TO3PF-5L.pdf | ||
68456-436 | 68456-436 BERG/FCI SMD or Through Hole | 68456-436.pdf | ||
CMZ5924B | CMZ5924B CENTRAL SMD or Through Hole | CMZ5924B.pdf | ||
DV164121 | DV164121 MicrochipTechnology SMD or Through Hole | DV164121.pdf | ||
ILSB1206ERR10K | ILSB1206ERR10K VISHAY SMD or Through Hole | ILSB1206ERR10K.pdf | ||
D89212N7001 | D89212N7001 ORIGINAL BGA | D89212N7001.pdf | ||
WPIXP2350AF | WPIXP2350AF INTEL BGA | WPIXP2350AF.pdf | ||
SE432L 1% | SE432L 1% SEI TO92 | SE432L 1%.pdf |