창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIT9003AI-2-33SB | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SiT9003 Datasheet | |
종류 | 수정 및 발진기 | |
제품군 | 프로그래밍 가능 발진기 | |
제조업체 | SiTIME | |
계열 | SiT9003 | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
유형 | MEMS(실리콘) | |
프로그래밍 가능 유형 | Digi-Key에서 프로그램(웹주문서에 해당 주파수대 기입요) | |
가용 주파수 범위 | 1MHz ~ 110MHz | |
기능 | 대기 | |
출력 | LVCMOS, LVTTL | |
전압 - 공급 | 3.3V | |
주파수 안정도 | ±50ppm | |
주파수 안정도(총) | ±50ppm, ±100ppm | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
확산 대역 대역폭 | ±0.25%, 중심 확산 | |
전류 - 공급(최대) | 4.1mA | |
등급 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
크기/치수 | 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | |
높이 | 0.031"(0.80mm) | |
전류 - 공급(비활성화)(최대) | 4.3µA | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIT9003AI-2-33SB | |
관련 링크 | SIT9003AI, SIT9003AI-2-33SB 데이터 시트, SiTIME 에이전트 유통 |
![]() | 173D825X9010VE3 | 8.2µF Molded Tantalum Capacitors 10V Axial 0.110" Dia x 0.290" L (2.79mm x 7.37mm) | 173D825X9010VE3.pdf | |
![]() | PESD5V0V1BB,115 | TVS DIODE 5VWM 12.5VC SOD523 | PESD5V0V1BB,115.pdf | |
![]() | 416F3201XADR | 32MHz ±10ppm 수정 18pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F3201XADR.pdf | |
![]() | APTGT300A170G | IGBT PHASE TRENCH FIELD STOP SP6 | APTGT300A170G.pdf | |
![]() | RCP2512B180RJS2 | RES SMD 180 OHM 5% 22W 2512 | RCP2512B180RJS2.pdf | |
![]() | IDT5992A-5J | IDT5992A-5J IDT PLCC32 | IDT5992A-5J.pdf | |
![]() | GRM3162C1H200JZ01D | GRM3162C1H200JZ01D MURATA SMD or Through Hole | GRM3162C1H200JZ01D.pdf | |
![]() | IS41C16105-35KI | IS41C16105-35KI ORIGINAL ISSI | IS41C16105-35KI.pdf | |
![]() | FODM3021V | FODM3021V FAIRCHILD SMD or Through Hole | FODM3021V.pdf | |
![]() | SP708TEP-L(new+pb free) | SP708TEP-L(new+pb free) SPX DIPSOP | SP708TEP-L(new+pb free).pdf | |
![]() | CN80617006201AAS LBWX | CN80617006201AAS LBWX Intel SMD or Through Hole | CN80617006201AAS LBWX.pdf | |
![]() | ZFBT-6G+ | ZFBT-6G+ MINI NA | ZFBT-6G+.pdf |