창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SIT9003AC-8-33DB | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SiT9003 Datasheet SIT9003 Part Number Guide | |
| 종류 | 수정 및 발진기 | |
| 제품군 | 프로그래밍 가능 발진기 | |
| 제조업체 | SiTIME | |
| 계열 | SiT9003 | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 유형 | MEMS(실리콘) | |
| 프로그래밍 가능 유형 | Digi-Key에서 프로그램(웹주문서에 해당 주파수대 기입요) | |
| 가용 주파수 범위 | 1MHz ~ 110MHz | |
| 기능 | - | |
| 출력 | LVCMOS, LVTTL | |
| 전압 - 공급 | 3.3V | |
| 주파수 안정도 | ±50ppm | |
| 주파수 안정도(총) | ±50ppm, ±100ppm | |
| 작동 온도 | -20°C ~ 70°C | |
| 확산 대역 대역폭 | ±0.25%, 중심 확산 | |
| 전류 - 공급(최대) | 4.1mA | |
| 등급 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
| 크기/치수 | 0.276" L x 0.197" W(7.00mm x 5.00mm) | |
| 높이 | 0.039"(1.00mm) | |
| 전류 - 공급(비활성화)(최대) | 4.3µA | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SIT9003AC-8-33DB | |
| 관련 링크 | SIT9003AC, SIT9003AC-8-33DB 데이터 시트, SiTIME 에이전트 유통 | |
![]() | MKP385368016JB02W0 | 0.068µF Film Capacitor 110V 160V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.283" L x 0.177" W (7.20mm x 4.50mm) | MKP385368016JB02W0.pdf | |
![]() | PA2083.121NLT | 120nH Unshielded Inductor 27A 0.6 mOhm Nonstandard | PA2083.121NLT.pdf | |
![]() | IMP41C176P-65 | IMP41C176P-65 IMP PLCC-44 | IMP41C176P-65.pdf | |
![]() | PK55QB40 | PK55QB40 SANREX SMD or Through Hole | PK55QB40.pdf | |
![]() | P87C5833SF76 | P87C5833SF76 INTEL 40-Dip | P87C5833SF76.pdf | |
![]() | 54HC4073/BCAJC | 54HC4073/BCAJC MOT CDIP14 | 54HC4073/BCAJC.pdf | |
![]() | CTX20-10-52M-R | CTX20-10-52M-R COOPER SMD or Through Hole | CTX20-10-52M-R.pdf | |
![]() | K4B1G0846G-BCH90DT | K4B1G0846G-BCH90DT Samsung SMD or Through Hole | K4B1G0846G-BCH90DT.pdf | |
![]() | 0603SAJ0122T5E | 0603SAJ0122T5E UNIOHM SMD0603 | 0603SAJ0122T5E.pdf | |
![]() | STM32F103RBT | STM32F103RBT ST SMD or Through Hole | STM32F103RBT.pdf | |
![]() | S-1170B25PD-0TKTFG | S-1170B25PD-0TKTFG SII PBFREE | S-1170B25PD-0TKTFG.pdf |