창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SIT9003AC-2-28ED | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SiT9003 Datasheet SIT9003 Part Number Guide | |
| 종류 | 수정 및 발진기 | |
| 제품군 | 프로그래밍 가능 발진기 | |
| 제조업체 | SiTIME | |
| 계열 | SiT9003 | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 유형 | MEMS(실리콘) | |
| 프로그래밍 가능 유형 | Digi-Key에서 프로그램(웹주문서에 해당 주파수대 기입요) | |
| 가용 주파수 범위 | 1MHz ~ 110MHz | |
| 기능 | 활성화/비활성화 | |
| 출력 | LVCMOS, LVTTL | |
| 전압 - 공급 | 2.8V | |
| 주파수 안정도 | ±50ppm | |
| 주파수 안정도(총) | ±50ppm, ±100ppm | |
| 작동 온도 | -20°C ~ 70°C | |
| 확산 대역 대역폭 | ±0.50%, 중심 확산 | |
| 전류 - 공급(최대) | 4.1mA | |
| 등급 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
| 크기/치수 | 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | |
| 높이 | 0.031"(0.80mm) | |
| 전류 - 공급(비활성화)(최대) | 2.2µA | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SIT9003AC-2-28ED | |
| 관련 링크 | SIT9003AC, SIT9003AC-2-28ED 데이터 시트, SiTIME 에이전트 유통 | |
![]() | BFC246707563 | 0.056µF Film Capacitor 63V 100V Polyester, Metallized Radial 0.492" L x 0.158" W (12.50mm x 4.00mm) | BFC246707563.pdf | |
![]() | MMB02070C3320FB200 | RES SMD 332 OHM 1% 1W 0207 | MMB02070C3320FB200.pdf | |
![]() | PLT0603Z1111LBTS | RES SMD 1.11K OHM 0.15W 0603 | PLT0603Z1111LBTS.pdf | |
![]() | ATT-0444-14-SMA-02 | RF Attenuator 14dB ±1.5dB 0Hz ~ 18GHz SMA In-Line Module | ATT-0444-14-SMA-02.pdf | |
![]() | 160A | 160A ORIGINAL SMD or Through Hole | 160A.pdf | |
![]() | LGR4619-7000 | LGR4619-7000 SMK SMD or Through Hole | LGR4619-7000.pdf | |
![]() | F14F1.0045 | F14F1.0045 FAI CAN-3 | F14F1.0045.pdf | |
![]() | BCM5676A1KEBG | BCM5676A1KEBG BROADCOM SMD or Through Hole | BCM5676A1KEBG.pdf | |
![]() | LYE65F-DAEB | LYE65F-DAEB OSRAM SMD or Through Hole | LYE65F-DAEB.pdf | |
![]() | IXA419WJN2Q | IXA419WJN2Q ORIGINAL SMD or Through Hole | IXA419WJN2Q.pdf | |
![]() | HG2EM013 | HG2EM013 FUJITSU NULL | HG2EM013.pdf | |
![]() | USSU3 | USSU3 ROHM DIPSOP | USSU3.pdf |