창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SIT9002AC-43N33DG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SIT9002 Datasheet SIT9002 Part Number Guide | |
| 종류 | 수정 및 발진기 | |
| 제품군 | 프로그래밍 가능 발진기 | |
| 제조업체 | SiTIME | |
| 계열 | SiT9002 | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 유형 | MEMS(실리콘) | |
| 프로그래밍 가능 유형 | Digi-Key에서 프로그램(웹주문서에 해당 주파수대 기입요) | |
| 가용 주파수 범위 | 1MHz ~ 220MHz | |
| 기능 | - | |
| 출력 | HCSL | |
| 전압 - 공급 | 3.3V | |
| 주파수 안정도 | ±25ppm | |
| 주파수 안정도(총) | - | |
| 작동 온도 | -20°C ~ 70°C | |
| 확산 대역 대역폭 | ±1.00%, 중심 확산 | |
| 전류 - 공급(최대) | 80mA | |
| 등급 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
| 크기/치수 | 0.197" L x 0.126" W(5.00mm x 3.20mm) | |
| 높이 | 0.031"(0.80mm) | |
| 전류 - 공급(비활성화)(최대) | - | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | SiT9002AC-43N33DG | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SIT9002AC-43N33DG | |
| 관련 링크 | SIT9002AC-, SIT9002AC-43N33DG 데이터 시트, SiTIME 에이전트 유통 | |
![]() | ESMH181VSN821MQ40T | 820µF 180V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 202 mOhm 2000 Hrs @ 85°C | ESMH181VSN821MQ40T.pdf | |
![]() | LA130URD72LI0280 | FUSE SQ 280A 1.3KVAC RECTANGULAR | LA130URD72LI0280.pdf | |
![]() | LDP01-35AY | TVS DIODE 35VWM 45.5VC D2PAK | LDP01-35AY.pdf | |
![]() | 2EZ68D5 | DIODE ZENER 68V 2W DO204AL | 2EZ68D5.pdf | |
![]() | MOX92021007FVE | RES 1G OHM 5W 1% AXIAL | MOX92021007FVE.pdf | |
![]() | FTRJ-1721 | FTRJ-1721 Finisar SMD or Through Hole | FTRJ-1721.pdf | |
![]() | KHD2D0N60F | KHD2D0N60F KEC SMD or Through Hole | KHD2D0N60F.pdf | |
![]() | c8051F300-GOR353 | c8051F300-GOR353 SILICON SMD or Through Hole | c8051F300-GOR353.pdf | |
![]() | TMP47C421AF-V357 | TMP47C421AF-V357 TOSHIBA QFP | TMP47C421AF-V357.pdf | |
![]() | FSH10U20 | FSH10U20 S TO220-2 | FSH10U20.pdf | |
![]() | BZW0428B33VAMP | BZW0428B33VAMP fagor SMD or Through Hole | BZW0428B33VAMP.pdf | |
![]() | 2009.11.18 -1 | 2009.11.18 -1 ORIGINAL SMD or Through Hole | 2009.11.18 -1.pdf |