창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIT9002AC-28N25EG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIT9002 Datasheet SIT9002 Part Number Guide | |
종류 | 수정 및 발진기 | |
제품군 | 프로그래밍 가능 발진기 | |
제조업체 | SiTIME | |
계열 | SiT9002 | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
유형 | MEMS(실리콘) | |
프로그래밍 가능 유형 | Digi-Key에서 프로그램(웹주문서에 해당 주파수대 기입요) | |
가용 주파수 범위 | 1MHz ~ 220MHz | |
기능 | 활성화/비활성화 | |
출력 | LVDS | |
전압 - 공급 | 2.5V | |
주파수 안정도 | ±25ppm | |
주파수 안정도(총) | - | |
작동 온도 | -20°C ~ 70°C | |
확산 대역 대역폭 | ±1.00%, 중심 확산 | |
전류 - 공급(최대) | 77mA | |
등급 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
크기/치수 | 0.276" L x 0.197" W(7.00mm x 5.00mm) | |
높이 | 0.039"(1.00mm) | |
전류 - 공급(비활성화)(최대) | 10µA | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | SiT9002AC-28N25EG | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIT9002AC-28N25EG | |
관련 링크 | SIT9002AC-, SIT9002AC-28N25EG 데이터 시트, SiTIME 에이전트 유통 |
![]() | VJ1808Y101KXEAT5Z | 100pF 500V 세라믹 커패시터 X7R 1808(4520 미터법) 0.180" L x 0.080" W(4.57mm x 2.03mm) | VJ1808Y101KXEAT5Z.pdf | |
![]() | MKP1839375255G | 0.075µF Film Capacitor 160V 250V Polypropylene (PP), Metallized Axial | MKP1839375255G.pdf | |
![]() | IXFQ23N60Q | MOSFET N-CH 600V 23A TO-268(D3) | IXFQ23N60Q.pdf | |
HS200 1R F | RES CHAS MNT 1 OHM 1% 200W | HS200 1R F.pdf | ||
![]() | CAT24WC02WITE13 | CAT24WC02WITE13 CATALYST SMD or Through Hole | CAT24WC02WITE13.pdf | |
![]() | XCV1000E-7BG728AFS | XCV1000E-7BG728AFS XILINX BGA728 | XCV1000E-7BG728AFS.pdf | |
![]() | JM38510/13901BIA | JM38510/13901BIA ADI 534TD JAN MULTIPLIER | JM38510/13901BIA.pdf | |
![]() | 216TCFCGA15FHS | 216TCFCGA15FHS ATI BGA | 216TCFCGA15FHS.pdf | |
![]() | BYV29-600 | BYV29-600 NXP TO-220 | BYV29-600.pdf | |
![]() | RD835 | RD835 ORIGINAL SMD or Through Hole | RD835.pdf | |
![]() | 780103(A)-A72 | 780103(A)-A72 NEC SSOP30 | 780103(A)-A72.pdf | |
![]() | LQG18HH18NJ00D | LQG18HH18NJ00D MURATA SMD | LQG18HH18NJ00D.pdf |