창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIT9002AC-23N33SQ | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIT9002 Datasheet SIT9002 Part Number Guide | |
종류 | 수정 및 발진기 | |
제품군 | 프로그래밍 가능 발진기 | |
제조업체 | SiTIME | |
계열 | SiT9002 | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
유형 | MEMS(실리콘) | |
프로그래밍 가능 유형 | Digi-Key에서 프로그램(웹주문서에 해당 주파수대 기입요) | |
가용 주파수 범위 | 1MHz ~ 220MHz | |
기능 | 대기 | |
출력 | LVDS | |
전압 - 공급 | 3.3V | |
주파수 안정도 | ±25ppm | |
주파수 안정도(총) | - | |
작동 온도 | -20°C ~ 70°C | |
확산 대역 대역폭 | -1.00%, 하향 확산 | |
전류 - 공급(최대) | 85mA | |
등급 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
크기/치수 | 0.197" L x 0.126" W(5.00mm x 3.20mm) | |
높이 | 0.031"(0.80mm) | |
전류 - 공급(비활성화)(최대) | 10µA | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | SiT9002AC-23N33SQ | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIT9002AC-23N33SQ | |
관련 링크 | SIT9002AC-, SIT9002AC-23N33SQ 데이터 시트, SiTIME 에이전트 유통 |
MPMT10019001BT1 | RES NTWRK 2 RES MULT OHM TO236-3 | MPMT10019001BT1.pdf | ||
STD13005FB | STD13005FB AUK TO-220F | STD13005FB.pdf | ||
CIS8201-128LOA-C | CIS8201-128LOA-C CICADA QFP | CIS8201-128LOA-C.pdf | ||
C1210X473K501T | C1210X473K501T HEC SMD or Through Hole | C1210X473K501T.pdf | ||
LTC6601CUF-2#PBF | LTC6601CUF-2#PBF LT SMD or Through Hole | LTC6601CUF-2#PBF.pdf | ||
XC3190A-2PQ160I | XC3190A-2PQ160I XILINX QFP | XC3190A-2PQ160I.pdf | ||
GDX160VA-5B208 | GDX160VA-5B208 LATTICE BGA | GDX160VA-5B208.pdf | ||
HP32C681MRX | HP32C681MRX HITACHI DIP | HP32C681MRX.pdf | ||
JW-23-04-T-S-450-250 | JW-23-04-T-S-450-250 Samtec SMD or Through Hole | JW-23-04-T-S-450-250.pdf | ||
HMT325S6BFR8C-H9N0 (DDR3 2G/1333 SODIMM) | HMT325S6BFR8C-H9N0 (DDR3 2G/1333 SODIMM) HYNIX SMD or Through Hole | HMT325S6BFR8C-H9N0 (DDR3 2G/1333 SODIMM).pdf | ||
D6451ACX 502 | D6451ACX 502 NEC DIP | D6451ACX 502.pdf | ||
CY7C1370CV25-200AI | CY7C1370CV25-200AI Cypress TQFP100 | CY7C1370CV25-200AI.pdf |