창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIT8209AI-G-33E | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SiT8209 Datasheet SIT8209 Part Number Guide | |
종류 | 수정 및 발진기 | |
제품군 | 프로그래밍 가능 발진기 | |
제조업체 | SiTIME | |
계열 | SiT8209 | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
유형 | MEMS(실리콘) | |
프로그래밍 가능 유형 | Digi-Key에서 프로그램(웹주문서에 해당 주파수대 기입요) | |
가용 주파수 범위 | 80.000001MHz ~ 220MHz | |
기능 | 활성화/비활성화 | |
출력 | LVCMOS, LVTTL | |
전압 - 공급 | 3.3V | |
주파수 안정도 | ±20ppm | |
주파수 안정도(총) | - | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
확산 대역 대역폭 | - | |
전류 - 공급(최대) | 36mA | |
등급 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
크기/치수 | 0.106" L x 0.094" W(2.70mm x 2.40mm) | |
높이 | 0.031"(0.80mm) | |
전류 - 공급(비활성화)(최대) | 31mA | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIT8209AI-G-33E | |
관련 링크 | SIT8209AI, SIT8209AI-G-33E 데이터 시트, SiTIME 에이전트 유통 |
C1206X333J5RAC7210 | 0.033µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.130" L x 0.063" W(3.30mm x 1.60mm) | C1206X333J5RAC7210.pdf | ||
S1008-101G | 100nH Shielded Inductor 1.12A 90 mOhm Max 1008 (2520 Metric) | S1008-101G.pdf | ||
MBB02070C7882FRP00 | RES 78.8K OHM 0.6W 1% AXIAL | MBB02070C7882FRP00.pdf | ||
AD1580BKSZ-REEL | AD1580BKSZ-REEL ADI IC 1.2V MICROPOWER | AD1580BKSZ-REEL.pdf | ||
CHR-100AT/10.000MHZ | CHR-100AT/10.000MHZ ORIGINAL SMD or Through Hole | CHR-100AT/10.000MHZ.pdf | ||
BU-65170S6-130 | BU-65170S6-130 DDC DIP | BU-65170S6-130.pdf | ||
SP5024BS | SP5024BS GECPLESSEY SOP | SP5024BS.pdf | ||
SDT61089DR | SDT61089DR SDT SOP-8 | SDT61089DR.pdf | ||
ATP3057BN | ATP3057BN TI DIP16 | ATP3057BN.pdf | ||
SN74LS299DW | SN74LS299DW ORIGINAL SMD or Through Hole | SN74LS299DW.pdf | ||
2SA1015-GR(T2SPF09 | 2SA1015-GR(T2SPF09 Toshiba SOP DIP | 2SA1015-GR(T2SPF09.pdf | ||
NVS0.9EE-M6 | NVS0.9EE-M6 Power-One SMD or Through Hole | NVS0.9EE-M6.pdf |