창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIT8208AI-3F-33E-66.666700Y | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SiT8208 Datasheet | |
PCN 포장 | TR Pkg Update 27/Jul/2016 | |
종류 | 수정 및 발진기 | |
제품군 | 발진기 | |
제조업체 | SiTIME | |
계열 | * | |
부품 현황 | 신제품 | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIT8208AI-3F-33E-66.666700Y | |
관련 링크 | SIT8208AI-3F-33E, SIT8208AI-3F-33E-66.666700Y 데이터 시트, SiTIME 에이전트 유통 |
MKP383330063JC02Z0 | 0.03µF Film Capacitor 220V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.197" W (17.50mm x 5.00mm) | MKP383330063JC02Z0.pdf | ||
ABM10-32.000MHZ-7-A15-T | 32MHz ±15ppm 수정 10pF 70옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM10-32.000MHZ-7-A15-T.pdf | ||
FCPF11N60T | MOSFET N-CH 600V 11A TO-220F | FCPF11N60T.pdf | ||
IXGN50N120C3H1 | IGBT 1200V 95A SOT-227 | IXGN50N120C3H1.pdf | ||
P1166.684NLT | 680µH Shielded Wirewound Inductor 200mA 4.45 Ohm Max Nonstandard | P1166.684NLT.pdf | ||
RCP1206W200RGTP | RES SMD 200 OHM 2% 11W 1206 | RCP1206W200RGTP.pdf | ||
132654701 | 132654701 BOURNES SMD or Through Hole | 132654701.pdf | ||
NPIS48L680MTRF | NPIS48L680MTRF NIC SMD | NPIS48L680MTRF.pdf | ||
24.3MHZ | 24.3MHZ epson SMD or Through Hole | 24.3MHZ.pdf | ||
SAFC826.5T877.5MJ1D0T | SAFC826.5T877.5MJ1D0T MUTATA 3.0x3.03.8x3.8 | SAFC826.5T877.5MJ1D0T.pdf | ||
MN4117400BSJ06 | MN4117400BSJ06 PAN SOJ | MN4117400BSJ06.pdf |