창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIT8208AI-3-25E | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Field Programmable Oscillator SiT8208 Datasheet SIT8208 Part Number Guide | |
종류 | 수정 및 발진기 | |
제품군 | 프로그래밍 가능 발진기 | |
제조업체 | SiTIME | |
계열 | SiT8208 | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
유형 | MEMS(실리콘) | |
프로그래밍 가능 유형 | Digi-Key에서 프로그램(웹주문서에 해당 주파수대 기입요) | |
가용 주파수 범위 | 1MHz ~ 80MHz | |
기능 | 활성화/비활성화 | |
출력 | LVCMOS, LVTTL | |
전압 - 공급 | 2.5V | |
주파수 안정도 | ±20ppm | |
주파수 안정도(총) | - | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
확산 대역 대역폭 | - | |
전류 - 공급(최대) | 33mA | |
등급 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
크기/치수 | 0.197" L x 0.126" W(5.00mm x 3.20mm) | |
높이 | 0.031"(0.80mm) | |
전류 - 공급(비활성화)(최대) | 33mA | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIT8208AI-3-25E | |
관련 링크 | SIT8208AI, SIT8208AI-3-25E 데이터 시트, SiTIME 에이전트 유통 |
![]() | 227CKE200M | 220µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can 1.13 Ohm @ 120Hz 2000 Hrs @ 105°C | 227CKE200M.pdf | |
![]() | DMN1054UCB4-7 | MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4 | DMN1054UCB4-7.pdf | |
![]() | MCU08050D8202BP100 | RES SMD 82K OHM 0.1% 1/8W 0805 | MCU08050D8202BP100.pdf | |
![]() | 48T08-100PC1 | 48T08-100PC1 ST DIP-28 | 48T08-100PC1.pdf | |
![]() | 57C49C-45-25 | 57C49C-45-25 WSI DIP | 57C49C-45-25.pdf | |
![]() | GF104-200-KA-A1 | GF104-200-KA-A1 NVIDIA BGA | GF104-200-KA-A1.pdf | |
![]() | ESG157M400AQ4AA | ESG157M400AQ4AA ARCOTRNI SMD or Through Hole | ESG157M400AQ4AA.pdf | |
![]() | FBR550(U)F | FBR550(U)F FUXETEC SMD or Through Hole | FBR550(U)F.pdf | |
![]() | APT2012SGD-AT | APT2012SGD-AT KINGBRIGHT SMD or Through Hole | APT2012SGD-AT.pdf | |
![]() | SiP21102DR-30-E3 | SiP21102DR-30-E3 VISHAY SC70-5 | SiP21102DR-30-E3.pdf | |
![]() | EP20K400EF672-2XN | EP20K400EF672-2XN ALTERA PGA | EP20K400EF672-2XN.pdf |