창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SIT8021AI-J4-18S-4.000000E | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SiT8021 Datasheet SiT8021 Brief | |
| 제품 교육 모듈 | Power Savings BOM Savings in Wearables and Mobile Applications | |
| PCN 포장 | TR Pkg Update 27/Jul/2016 | |
| 종류 | 수정 및 발진기 | |
| 제품군 | 발진기 | |
| 제조업체 | SiTIME | |
| 계열 | SiT8021 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 유형 | MEMS(실리콘) | |
| 주파수 | 4MHz | |
| 기능 | 대기(절전) | |
| 출력 | LVCMOS | |
| 전압 - 공급 | 1.8V | |
| 주파수 안정도 | ±100ppm | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
| 전류 - 공급(최대) | 130µA | |
| 등급 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 크기/치수 | 0.061" L x 0.033" W(1.54mm x 0.84mm) | |
| 높이 | 0.024"(0.60mm) | |
| 패키지/케이스 | 4-UFBGA, CSPBGA | |
| 전류 - 공급(비활성화)(최대) | 1.3µA | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | 1473-1353-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SIT8021AI-J4-18S-4.000000E | |
| 관련 링크 | SIT8021AI-J4-18, SIT8021AI-J4-18S-4.000000E 데이터 시트, SiTIME 에이전트 유통 | |
![]() | SMS7630-061 | DIODE SCHOTTKY 50MA 0201 | SMS7630-061.pdf | |
![]() | IPI65R600C6XKSA1 | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO262 | IPI65R600C6XKSA1.pdf | |
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![]() | CAT24WC128K-TE13 | CAT24WC128K-TE13 CATALYST SOP | CAT24WC128K-TE13.pdf | |
![]() | IC61LV6416-15T1 | IC61LV6416-15T1 ICSI SMD or Through Hole | IC61LV6416-15T1.pdf | |
![]() | MN155221EGG | MN155221EGG PAN CAN3 | MN155221EGG.pdf | |
![]() | ID2764-15 | ID2764-15 INTEL/REI DIP | ID2764-15.pdf | |
![]() | SD853C40S50K | SD853C40S50K IR SMD or Through Hole | SD853C40S50K.pdf | |
![]() | TSL0808S-681KR32-PF | TSL0808S-681KR32-PF TDK SMD or Through Hole | TSL0808S-681KR32-PF.pdf | |
![]() | UVZ1E101MEH1TD | UVZ1E101MEH1TD NICHICON SMD or Through Hole | UVZ1E101MEH1TD.pdf |