창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SIT8021AI-J4-18S-12.288000E | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SiT8021 Datasheet SiT8021 Brief | |
| 제품 교육 모듈 | Power Savings BOM Savings in Wearables and Mobile Applications | |
| PCN 포장 | TR Pkg Update 27/Jul/2016 | |
| 종류 | 수정 및 발진기 | |
| 제품군 | 발진기 | |
| 제조업체 | SiTIME | |
| 계열 | SiT8021 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 유형 | MEMS(실리콘) | |
| 주파수 | 12.288MHz | |
| 기능 | 대기(절전) | |
| 출력 | LVCMOS | |
| 전압 - 공급 | 1.8V | |
| 주파수 안정도 | ±100ppm | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
| 전류 - 공급(최대) | 130µA | |
| 등급 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 크기/치수 | 0.061" L x 0.033" W(1.54mm x 0.84mm) | |
| 높이 | 0.024"(0.60mm) | |
| 패키지/케이스 | 4-UFBGA, CSPBGA | |
| 전류 - 공급(비활성화)(최대) | 1.3µA | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | 1473-1357-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SIT8021AI-J4-18S-12.288000E | |
| 관련 링크 | SIT8021AI-J4-18S, SIT8021AI-J4-18S-12.288000E 데이터 시트, SiTIME 에이전트 유통 | |
![]() | CD214B-T10CALF | TVS DIODE 10VWM 17VC DO214AA | CD214B-T10CALF.pdf | |
![]() | 1N5711WS-7-F | DIODE SCHOTTKY 70V 150MW SOD323 | 1N5711WS-7-F.pdf | |
![]() | 2150R-10H | 2.7µH Unshielded Molded Inductor 690mA 650 mOhm Max Axial | 2150R-10H.pdf | |
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![]() | ROX2SG1R2 | RES 1.20 OHM 2W 2% AXIAL | ROX2SG1R2.pdf | |
![]() | CMF6080K600FHEK | RES 80.6K OHM 1W 1% AXIAL | CMF6080K600FHEK.pdf | |
![]() | PMB7880V1.3-G | PMB7880V1.3-G INFINEON BGA | PMB7880V1.3-G.pdf | |
![]() | K5R2G1GACC K9F1G08UOA K9F2G08UOA K9F4G08UOA | K5R2G1GACC K9F1G08UOA K9F2G08UOA K9F4G08UOA samsung SMD or Through Hole | K5R2G1GACC K9F1G08UOA K9F2G08UOA K9F4G08UOA.pdf | |
![]() | K560J15C0GF5L2 | K560J15C0GF5L2 VISHAY DIP | K560J15C0GF5L2.pdf | |
![]() | BA3 | BA3 ORIGINAL SOT23 | BA3.pdf | |
![]() | AD7492ARUZ-REEL | AD7492ARUZ-REEL AnalogDevicesInc 24-TSSOP | AD7492ARUZ-REEL.pdf | |
![]() | EHW015A0A | EHW015A0A LINEAGE SMD or Through Hole | EHW015A0A.pdf |