창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIT8008BCF22-18E-8.000000G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SiT8008B | |
PCN 포장 | TR Pkg Update 27/Jul/2016 | |
종류 | 수정 및 발진기 | |
제품군 | 발진기 | |
제조업체 | SiTIME | |
계열 | SiT8008B | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
유형 | MEMS(실리콘) | |
주파수 | 8MHz | |
기능 | 활성화/비활성화 | |
출력 | LVCMOS | |
전압 - 공급 | 1.8V | |
주파수 안정도 | ±25ppm | |
작동 온도 | -20°C ~ 70°C | |
전류 - 공급(최대) | 4.1mA | |
등급 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
크기/치수 | 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | |
높이 | 0.031"(0.80mm) | |
패키지/케이스 | 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
전류 - 공급(비활성화)(최대) | 4mA | |
표준 포장 | 250 | |
다른 이름 | SIT8008BCF-22-18E-8.000000G | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIT8008BCF22-18E-8.000000G | |
관련 링크 | SIT8008BCF22-18, SIT8008BCF22-18E-8.000000G 데이터 시트, SiTIME 에이전트 유통 |
![]() | GRM033R60J473KE19D | 0.047µF 6.3V 세라믹 커패시터 X5R 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM033R60J473KE19D.pdf | |
![]() | GRM0336R1E4R4CD01D | 4.4pF 25V 세라믹 커패시터 R2H 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0336R1E4R4CD01D.pdf | |
![]() | C931U681KYYDCA7317 | 680pF 400VAC 세라믹 커패시터 Y5P(B) 방사형, 디스크 0.394" Dia(10.00mm) | C931U681KYYDCA7317.pdf | |
![]() | STD15N60M2-EP | MOSFET N-CH 600V 11A EP DPAK | STD15N60M2-EP.pdf | |
![]() | HAL501SF-K-4-R-1-00 | HAL501SF-K-4-R-1-00 MICRONAS SMD or Through Hole | HAL501SF-K-4-R-1-00.pdf | |
![]() | 3P80F9XZZ-S0B9 | 3P80F9XZZ-S0B9 SAMSUNG SOP32 | 3P80F9XZZ-S0B9.pdf | |
![]() | SPB46N03L | SPB46N03L XIMZ TO-263 | SPB46N03L .pdf | |
![]() | TNETD4200GJL200 | TNETD4200GJL200 TI BGA | TNETD4200GJL200.pdf | |
![]() | RL101M1HSR-1012P | RL101M1HSR-1012P LELON SMD or Through Hole | RL101M1HSR-1012P.pdf | |
![]() | SDWL2012C47NJGTF | SDWL2012C47NJGTF ORIGINAL SMD or Through Hole | SDWL2012C47NJGTF.pdf | |
![]() | SS-5GL-3T | SS-5GL-3T OMRON DIP | SS-5GL-3T.pdf | |
![]() | SS0540FL | SS0540FL PANJIT SOD-123FL | SS0540FL.pdf |