창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SIT8008AIT8-30E | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SiT8008 Datasheet SIT8008 Part Number Guide | |
| 종류 | 수정 및 발진기 | |
| 제품군 | 프로그래밍 가능 발진기 | |
| 제조업체 | SiTIME | |
| 계열 | SiT8008 | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 유형 | MEMS(실리콘) | |
| 프로그래밍 가능 유형 | Digi-Key에서 프로그램(웹주문서에 해당 주파수대 기입요) | |
| 가용 주파수 범위 | 1MHz ~ 110MHz | |
| 기능 | 활성화/비활성화 | |
| 출력 | HCMOS, LVCMOS | |
| 전압 - 공급 | 3V | |
| 주파수 안정도 | ±20ppm | |
| 주파수 안정도(총) | - | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
| 확산 대역 대역폭 | - | |
| 전류 - 공급(최대) | 4.5mA | |
| 등급 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
| 크기/치수 | 0.276" L x 0.197" W(7.00mm x 5.00mm) | |
| 높이 | 0.039"(1.00mm) | |
| 전류 - 공급(비활성화)(최대) | 4mA | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SIT8008AIT8-30E | |
| 관련 링크 | SIT8008AI, SIT8008AIT8-30E 데이터 시트, SiTIME 에이전트 유통 | |
![]() | GRM1555C1E1R9CZ01D | 1.9pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1555C1E1R9CZ01D.pdf | |
![]() | RE1206FRE0743R2L | RES SMD 43.2 OHM 1% 1/4W 1206 | RE1206FRE0743R2L.pdf | |
![]() | CPL03R0500FE313 | RES 0.05 OHM 3W 1% AXIAL | CPL03R0500FE313.pdf | |
![]() | ABZE TEL:82766440 | ABZE TEL:82766440 MAXIM SOT23-5 | ABZE TEL:82766440.pdf | |
![]() | 1888631-1 | 1888631-1 TYCO SMD or Through Hole | 1888631-1.pdf | |
![]() | DLW21HN181SN1D | DLW21HN181SN1D murata SMD or Through Hole | DLW21HN181SN1D.pdf | |
![]() | CAT1023WI-42-A2 | CAT1023WI-42-A2 CAT SMD or Through Hole | CAT1023WI-42-A2.pdf | |
![]() | MT58LC64K32B3LG9 | MT58LC64K32B3LG9 MTC PQFP | MT58LC64K32B3LG9.pdf | |
![]() | RSM2FB180-OHM-J | RSM2FB180-OHM-J NOBLE SMD or Through Hole | RSM2FB180-OHM-J.pdf | |
![]() | CXA1001A | CXA1001A SONY DIP | CXA1001A.pdf | |
![]() | LT1395CS6#MPBF | LT1395CS6#MPBF LINFAR SOT-23-6 | LT1395CS6#MPBF.pdf | |
![]() | FCC17A15PE-450 | FCC17A15PE-450 AMPHENOL ORIGINAL | FCC17A15PE-450.pdf |