창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIT8008AIT7-18S | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SiT8008 Datasheet SIT8008 Part Number Guide | |
종류 | 수정 및 발진기 | |
제품군 | 프로그래밍 가능 발진기 | |
제조업체 | SiTIME | |
계열 | SiT8008 | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
유형 | MEMS(실리콘) | |
프로그래밍 가능 유형 | Digi-Key에서 프로그램(웹주문서에 해당 주파수대 기입요) | |
가용 주파수 범위 | 1MHz ~ 110MHz | |
기능 | 대기 | |
출력 | HCMOS, LVCMOS | |
전압 - 공급 | 1.8V | |
주파수 안정도 | ±20ppm | |
주파수 안정도(총) | - | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
확산 대역 대역폭 | - | |
전류 - 공급(최대) | 3.9mA | |
등급 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
크기/치수 | 0.079" L x 0.063" W(2.00mm x 1.60mm) | |
높이 | 0.031"(0.80mm) | |
전류 - 공급(비활성화)(최대) | 1.3µA | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIT8008AIT7-18S | |
관련 링크 | SIT8008AI, SIT8008AIT7-18S 데이터 시트, SiTIME 에이전트 유통 |
MKP385351040JDI2B0 | 0.051µF Film Capacitor 200V 400V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.158" W (12.50mm x 4.00mm) | MKP385351040JDI2B0.pdf | ||
SIT8008BI-12-18S-33.33333E | OSC XO 1.8V 33.33333MHZ ST | SIT8008BI-12-18S-33.33333E.pdf | ||
3EZ13D10E3/TR8 | DIODE ZENER 13V 3W DO204AL | 3EZ13D10E3/TR8.pdf | ||
FVTS05R2E7R500JE | RES CHAS MNT 7.5 OHM 5% 5W | FVTS05R2E7R500JE.pdf | ||
P51-15-A-Z-I12-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 15 PSI (103.42 kPa) Absolute Male - 1/4" (6.35mm) NPT 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-15-A-Z-I12-4.5OVP-000-000.pdf | ||
IH5027CPE | IH5027CPE INTERSIL DIP | IH5027CPE.pdf | ||
MSCD-75-820M | MSCD-75-820M ORIGINAL SMD | MSCD-75-820M.pdf | ||
TEPSLD0G227M(40)12R | TEPSLD0G227M(40)12R ORIGINAL SMD or Through Hole | TEPSLD0G227M(40)12R.pdf | ||
74HC367WM | 74HC367WM NS SMD16 7.2 | 74HC367WM.pdf | ||
80C51THH-12 | 80C51THH-12 INTER DIP | 80C51THH-12.pdf | ||
ESH686M010AC3AA | ESH686M010AC3AA ARCOTRNI DIP-2 | ESH686M010AC3AA.pdf | ||
FAR-D5GD-942M50-D1DF-Z | FAR-D5GD-942M50-D1DF-Z FUJITSU SMD or Through Hole | FAR-D5GD-942M50-D1DF-Z.pdf |