창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SIT8008AIL1-30E | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SiT8008 Datasheet SIT8008 Part Number Guide | |
| 종류 | 수정 및 발진기 | |
| 제품군 | 프로그래밍 가능 발진기 | |
| 제조업체 | SiTIME | |
| 계열 | SiT8008 | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 유형 | MEMS(실리콘) | |
| 프로그래밍 가능 유형 | Digi-Key에서 프로그램(웹주문서에 해당 주파수대 기입요) | |
| 가용 주파수 범위 | 1MHz ~ 110MHz | |
| 기능 | 활성화/비활성화 | |
| 출력 | HCMOS, LVCMOS | |
| 전압 - 공급 | 3V | |
| 주파수 안정도 | ±20ppm | |
| 주파수 안정도(총) | - | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
| 확산 대역 대역폭 | - | |
| 전류 - 공급(최대) | 4.5mA | |
| 등급 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
| 크기/치수 | 0.098" L x 0.079" W(2.50mm x 2.00mm) | |
| 높이 | 0.031"(0.80mm) | |
| 전류 - 공급(비활성화)(최대) | 4mA | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SIT8008AIL1-30E | |
| 관련 링크 | SIT8008AI, SIT8008AIL1-30E 데이터 시트, SiTIME 에이전트 유통 | |
|  | 4816P-3-331/471LF | RES NTWRK 28 RES MULT OHM 16SOIC | 4816P-3-331/471LF.pdf | |
|  | VSSR2401222JUF | RES ARRAY 23 RES 2.2K OHM 24SSOP | VSSR2401222JUF.pdf | |
|  | MS46SR-20-1390-Q1-30X-30R-NO-F | SYSTEM | MS46SR-20-1390-Q1-30X-30R-NO-F.pdf | |
|  | BC161 | BC161 ON TO-39 | BC161.pdf | |
|  | 1206B682J500CT | 1206B682J500CT ORIGINAL SMD or Through Hole | 1206B682J500CT.pdf | |
|  | 6086821-1 | 6086821-1 TI SOP | 6086821-1.pdf | |
|  | 8122-D | 8122-D UTC TO-92 | 8122-D.pdf | |
|  | 2SJ40 | 2SJ40 ORIGINAL TO-92S | 2SJ40.pdf | |
|  | M378T5663EH3-CF7 (DDR2/2G/Lon-dimm) | M378T5663EH3-CF7 (DDR2/2G/Lon-dimm) Samsung SMD or Through Hole | M378T5663EH3-CF7 (DDR2/2G/Lon-dimm).pdf | |
|  | Y1-400VAC221K | Y1-400VAC221K WM Y5P | Y1-400VAC221K.pdf | |
|  | XW-601FB3 BB | XW-601FB3 BB XW SMD or Through Hole | XW-601FB3 BB.pdf | |
|  | XC4VLX8-4FF1148C | XC4VLX8-4FF1148C XILINX BGA | XC4VLX8-4FF1148C.pdf |