창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIT8008AIF7-30E | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SiT8008 Datasheet SIT8008 Part Number Guide | |
종류 | 수정 및 발진기 | |
제품군 | 프로그래밍 가능 발진기 | |
제조업체 | SiTIME | |
계열 | SiT8008 | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
유형 | MEMS(실리콘) | |
프로그래밍 가능 유형 | Digi-Key에서 프로그램(웹주문서에 해당 주파수대 기입요) | |
가용 주파수 범위 | 1MHz ~ 110MHz | |
기능 | 활성화/비활성화 | |
출력 | HCMOS, LVCMOS | |
전압 - 공급 | 3V | |
주파수 안정도 | ±20ppm | |
주파수 안정도(총) | - | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
확산 대역 대역폭 | - | |
전류 - 공급(최대) | 4.5mA | |
등급 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
크기/치수 | 0.079" L x 0.063" W(2.00mm x 1.60mm) | |
높이 | 0.031"(0.80mm) | |
전류 - 공급(비활성화)(최대) | 4mA | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIT8008AIF7-30E | |
관련 링크 | SIT8008AI, SIT8008AIF7-30E 데이터 시트, SiTIME 에이전트 유통 |
![]() | MCC250-18IO1 | THYRISTOR DUAL 1800V 450A | MCC250-18IO1.pdf | |
![]() | CLS62NP-181MC | 180µH Shielded Inductor 168mA 2.11 Ohm Max 4-SMD | CLS62NP-181MC.pdf | |
![]() | IPSUAT-GP015-5 | PRESSURE TRANS 0-15PSIG 4-20MA | IPSUAT-GP015-5.pdf | |
![]() | CS5531-AKS | CS5531-AKS CIRRUS SMD | CS5531-AKS.pdf | |
![]() | CAR3030L1TN | CAR3030L1TN COSEL SMD or Through Hole | CAR3030L1TN.pdf | |
![]() | MPC2510-I/SO | MPC2510-I/SO MICROCHI SOP20 | MPC2510-I/SO.pdf | |
![]() | VCT3834F C4 | VCT3834F C4 MICRONAS DIP-64P | VCT3834F C4.pdf | |
![]() | SRF20-20 | SRF20-20 ORIGINAL TO-220F | SRF20-20.pdf | |
![]() | LP239D | LP239D TI DIP-14 | LP239D.pdf | |
![]() | DS18B20+C4 | DS18B20+C4 MAXIM TO92 | DS18B20+C4.pdf | |
![]() | S21ND3T | S21ND3T ORIGINAL DIP5 | S21ND3T.pdf | |
![]() | FTSH-120-01-L-DV-EJ | FTSH-120-01-L-DV-EJ SAMTEC SMD or Through Hole | FTSH-120-01-L-DV-EJ.pdf |