창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SIT8008AIB7-18E | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SiT8008 Datasheet SIT8008 Part Number Guide | |
| 종류 | 수정 및 발진기 | |
| 제품군 | 프로그래밍 가능 발진기 | |
| 제조업체 | SiTIME | |
| 계열 | SiT8008 | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 유형 | MEMS(실리콘) | |
| 프로그래밍 가능 유형 | Digi-Key에서 프로그램(웹주문서에 해당 주파수대 기입요) | |
| 가용 주파수 범위 | 1MHz ~ 110MHz | |
| 기능 | 활성화/비활성화 | |
| 출력 | HCMOS, LVCMOS | |
| 전압 - 공급 | 1.8V | |
| 주파수 안정도 | ±20ppm | |
| 주파수 안정도(총) | - | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
| 확산 대역 대역폭 | - | |
| 전류 - 공급(최대) | 3.9mA | |
| 등급 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
| 크기/치수 | 0.079" L x 0.063" W(2.00mm x 1.60mm) | |
| 높이 | 0.031"(0.80mm) | |
| 전류 - 공급(비활성화)(최대) | 3.8mA | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SIT8008AIB7-18E | |
| 관련 링크 | SIT8008AI, SIT8008AIB7-18E 데이터 시트, SiTIME 에이전트 유통 | |
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![]() | VJ1825A822KBBAT4X | 8200pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1825(4564 미터법) 0.183" L x 0.252" W(4.65mm x 6.40mm) | VJ1825A822KBBAT4X.pdf | |
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![]() | 593D106X9025C2TE3 | 10µF Molded Tantalum Capacitors 25V 2312 (6032 Metric) 450 mOhm 0.236" L x 0.126" W (6.00mm x 3.20mm) | 593D106X9025C2TE3.pdf | |
![]() | HHV-25JT-52-15M | RES 15M OHM 1/4W 5% AXIAL | HHV-25JT-52-15M.pdf | |
![]() | ATS177-PL-A-A | IC HALL SENSOR LATCH 25MA SIP-3L | ATS177-PL-A-A.pdf | |
![]() | DM2503J | DM2503J NS CDIP16P | DM2503J.pdf | |
![]() | MX25L12855EMI-10G | MX25L12855EMI-10G MXIC SOP16 | MX25L12855EMI-10G.pdf | |
![]() | FX6ASJ-2 | FX6ASJ-2 RENESAS SOT252 | FX6ASJ-2.pdf | |
![]() | GMD033R60J104KE11J 50000 MURATA | GMD033R60J104KE11J 50000 MURATA MURATA SMD or Through Hole | GMD033R60J104KE11J 50000 MURATA.pdf | |
![]() | SN74LBTLV3257PWR | SN74LBTLV3257PWR TI TSSOP | SN74LBTLV3257PWR.pdf |