창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SIT8008AI-83-33E-25.000000T | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SiT8008 Datasheet | |
| PCN 포장 | TR Pkg Update 27/Jul/2016 | |
| 종류 | 수정 및 발진기 | |
| 제품군 | 발진기 | |
| 제조업체 | SiTIME | |
| 계열 | * | |
| 부품 현황 | 신제품 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SIT8008AI-83-33E-25.000000T | |
| 관련 링크 | SIT8008AI-83-33E, SIT8008AI-83-33E-25.000000T 데이터 시트, SiTIME 에이전트 유통 | |
![]() | SR151A391GAR | 390pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.150" L x 0.100" W(3.81mm x 2.54mm) | SR151A391GAR.pdf | |
| V10P95P | VARISTOR 150V 3.5KA DISC 10MM | V10P95P.pdf | ||
| AX-28.63636MAGV-T | 28.63636MHz ±30ppm 수정 8pF 80옴 -40°C ~ 85°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | AX-28.63636MAGV-T.pdf | ||
![]() | NVMFS6B03NLT1G | MOSFET N-CH 100V 20A 5DFN | NVMFS6B03NLT1G.pdf | |
![]() | 1140-5R6M-RC | 5.6µH Unshielded Wirewound Inductor 24.4A 4 mOhm Max Radial | 1140-5R6M-RC.pdf | |
![]() | AT28C010-12DM/883 | AT28C010-12DM/883 ATMEL DIP | AT28C010-12DM/883.pdf | |
![]() | DM-44A | DM-44A N/A SIP11 | DM-44A.pdf | |
![]() | 293D225X9010S2TE3 | 293D225X9010S2TE3 VISHAY SMD or Through Hole | 293D225X9010S2TE3.pdf | |
![]() | CDP65C51B1 | CDP65C51B1 ORIGINAL DIP | CDP65C51B1.pdf | |
![]() | MB43612 | MB43612 FUJTTSU SOP28 | MB43612.pdf | |
![]() | FDS6670A /IFDS6670A | FDS6670A /IFDS6670A FAI SOIC-8 | FDS6670A /IFDS6670A.pdf |