창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIT8008AI-71-18E-48.000000D | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SiT8008 Datasheet | |
PCN 포장 | TR Pkg Update 27/Jul/2016 | |
종류 | 수정 및 발진기 | |
제품군 | 발진기 | |
제조업체 | SiTIME | |
계열 | * | |
부품 현황 | 신제품 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIT8008AI-71-18E-48.000000D | |
관련 링크 | SIT8008AI-71-18E, SIT8008AI-71-18E-48.000000D 데이터 시트, SiTIME 에이전트 유통 |
![]() | BZT03C160-TAP | TVS DIODE 130VWM 224VC SOD57 | BZT03C160-TAP.pdf | |
![]() | 8Y-19.200MEEQ-T | 19.2MHz ±10ppm 수정 10pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 8Y-19.200MEEQ-T.pdf | |
![]() | 445C33G24M57600 | 24.576MHz ±30ppm 수정 30pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445C33G24M57600.pdf | |
![]() | VS-20ETF08STRL-M3 | DIODE GEN PURP 800V 20A TO263AB | VS-20ETF08STRL-M3.pdf | |
![]() | AF0201JR-076R2L | RES SMD 6.2 OHM 5% 1/20W 0201 | AF0201JR-076R2L.pdf | |
![]() | RNF14FTD16R9 | RES 16.9 OHM 1/4W 1% AXIAL | RNF14FTD16R9.pdf | |
![]() | AOT-5050D363C-Z10-N-3-N | AOT-5050D363C-Z10-N-3-N AOT SMD or Through Hole | AOT-5050D363C-Z10-N-3-N.pdf | |
![]() | 67-21/R6C-AP2R1B/2R | 67-21/R6C-AP2R1B/2R ORIGINAL SMD or Through Hole | 67-21/R6C-AP2R1B/2R.pdf | |
![]() | 251M1002336MR0A143 | 251M1002336MR0A143 MATSUO SMD or Through Hole | 251M1002336MR0A143.pdf | |
![]() | TSM504/506 | TSM504/506 ORIGINAL SMD or Through Hole | TSM504/506.pdf | |
![]() | 74LAV541ADB | 74LAV541ADB NXP SMD or Through Hole | 74LAV541ADB.pdf |