창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIT8008AI-22-XXS-8.000000G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SiT8008 Datasheet | |
PCN 포장 | TR Pkg Update 27/Jul/2016 | |
종류 | 수정 및 발진기 | |
제품군 | 발진기 | |
제조업체 | SiTIME | |
계열 | SiT8008 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
유형 | MEMS(실리콘) | |
주파수 | 8MHz | |
기능 | 대기(절전) | |
출력 | HCMOS, LVCMOS | |
전압 - 공급 | 2.25 V ~ 3.63 V | |
주파수 안정도 | ±25ppm | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
전류 - 공급(최대) | 4.5mA | |
등급 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
크기/치수 | 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | |
높이 | 0.031"(0.80mm) | |
패키지/케이스 | 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
전류 - 공급(비활성화)(최대) | 4.3µA | |
표준 포장 | 250 | |
다른 이름 | 1473-1163-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIT8008AI-22-XXS-8.000000G | |
관련 링크 | SIT8008AI-22-XX, SIT8008AI-22-XXS-8.000000G 데이터 시트, SiTIME 에이전트 유통 |
![]() | CDR10D48MNNP-8R5NC | 8.5µH Shielded Inductor 4.8A 28.8 mOhm Max Nonstandard | CDR10D48MNNP-8R5NC.pdf | |
![]() | ERA-6AEB682V | RES SMD 6.8K OHM 0.1% 1/8W 0805 | ERA-6AEB682V.pdf | |
![]() | TNPW0603665RBETA | RES SMD 665 OHM 0.1% 1/10W 0603 | TNPW0603665RBETA.pdf | |
![]() | IDT7133SA PLCC | IDT7133SA PLCC IDT DIP | IDT7133SA PLCC.pdf | |
![]() | BBY53-03W E-6327 | BBY53-03W E-6327 SIEMENS Reel | BBY53-03W E-6327.pdf | |
![]() | LC72725KMA | LC72725KMA SANYO SOIC16 | LC72725KMA.pdf | |
![]() | LT1084IM-2.5 | LT1084IM-2.5 LT TO-263 | LT1084IM-2.5.pdf | |
![]() | LAE67F-BACA-24-3A4B-Z-AL | LAE67F-BACA-24-3A4B-Z-AL OSRAM DRYPA | LAE67F-BACA-24-3A4B-Z-AL.pdf | |
![]() | 97-3101A-18-1P(946) | 97-3101A-18-1P(946) ORIGINAL NA | 97-3101A-18-1P(946).pdf | |
![]() | XRT65119P | XRT65119P EXAR DIP-8 | XRT65119P.pdf | |
![]() | BSM35GD120DN2_E3224 | BSM35GD120DN2_E3224 Infineon SMD or Through Hole | BSM35GD120DN2_E3224.pdf |