창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SIT8008ACT7-28E | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SiT8008 Datasheet SIT8008 Part Number Guide | |
| 종류 | 수정 및 발진기 | |
| 제품군 | 프로그래밍 가능 발진기 | |
| 제조업체 | SiTIME | |
| 계열 | SiT8008 | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 유형 | MEMS(실리콘) | |
| 프로그래밍 가능 유형 | Digi-Key에서 프로그램(웹주문서에 해당 주파수대 기입요) | |
| 가용 주파수 범위 | 1MHz ~ 110MHz | |
| 기능 | 활성화/비활성화 | |
| 출력 | HCMOS, LVCMOS | |
| 전압 - 공급 | 2.8V | |
| 주파수 안정도 | ±20ppm | |
| 주파수 안정도(총) | - | |
| 작동 온도 | -20°C ~ 70°C | |
| 확산 대역 대역폭 | - | |
| 전류 - 공급(최대) | 4.5mA | |
| 등급 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
| 크기/치수 | 0.079" L x 0.063" W(2.00mm x 1.60mm) | |
| 높이 | 0.031"(0.80mm) | |
| 전류 - 공급(비활성화)(최대) | 4mA | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SIT8008ACT7-28E | |
| 관련 링크 | SIT8008AC, SIT8008ACT7-28E 데이터 시트, SiTIME 에이전트 유통 | |
![]() | GTCN28-231M-R10 | GDT 230V 20% 10KA | GTCN28-231M-R10.pdf | |
![]() | TLM3ADR10FTE | RES SMD 0.1 OHM 1% 1W 2512 | TLM3ADR10FTE.pdf | |
![]() | PPC6011VV225 | PPC6011VV225 MALAYSIA BGA | PPC6011VV225.pdf | |
![]() | CCR4.19MC3T | CCR4.19MC3T TDK 3 7 | CCR4.19MC3T.pdf | |
![]() | T730064504 | T730064504 WESTCODE Module | T730064504.pdf | |
![]() | SIT8507B01-SO | SIT8507B01-SO SAMSUNG sop-20 | SIT8507B01-SO.pdf | |
![]() | BR93H76RF-WE2 | BR93H76RF-WE2 ROHM SOP8-CG | BR93H76RF-WE2.pdf | |
![]() | APM2703CGC-TRL | APM2703CGC-TRL ANPEC SOT-163 | APM2703CGC-TRL.pdf | |
![]() | TL12W02 | TL12W02 TOSHIBA SMD or Through Hole | TL12W02.pdf | |
![]() | ME4054M | ME4054M ME SMD or Through Hole | ME4054M.pdf | |
![]() | G6SK-2G-H-5VDC | G6SK-2G-H-5VDC OMRON SMD or Through Hole | G6SK-2G-H-5VDC.pdf | |
![]() | XMSP50P164GB | XMSP50P164GB TEXAS PGA | XMSP50P164GB.pdf |