창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SIT8008ACR2-30E | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SiT8008 Datasheet SIT8008 Part Number Guide | |
| 종류 | 수정 및 발진기 | |
| 제품군 | 프로그래밍 가능 발진기 | |
| 제조업체 | SiTIME | |
| 계열 | SiT8008 | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 유형 | MEMS(실리콘) | |
| 프로그래밍 가능 유형 | Digi-Key에서 프로그램(웹주문서에 해당 주파수대 기입요) | |
| 가용 주파수 범위 | 1MHz ~ 110MHz | |
| 기능 | 활성화/비활성화 | |
| 출력 | HCMOS, LVCMOS | |
| 전압 - 공급 | 3V | |
| 주파수 안정도 | ±20ppm | |
| 주파수 안정도(총) | - | |
| 작동 온도 | -20°C ~ 70°C | |
| 확산 대역 대역폭 | - | |
| 전류 - 공급(최대) | 4.5mA | |
| 등급 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
| 크기/치수 | 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | |
| 높이 | 0.031"(0.80mm) | |
| 전류 - 공급(비활성화)(최대) | 4mA | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SIT8008ACR2-30E | |
| 관련 링크 | SIT8008AC, SIT8008ACR2-30E 데이터 시트, SiTIME 에이전트 유통 | |
![]() | SMAJ14A-E3/5A | TVS DIODE 14VWM 23.2VC SMA | SMAJ14A-E3/5A.pdf | |
![]() | B82141A1473J | 47µH Unshielded Wirewound Inductor 200mA 2.4 Ohm Max Axial | B82141A1473J.pdf | |
![]() | PJ-007 | PJ-007 CUI SMD or Through Hole | PJ-007.pdf | |
![]() | PEF24628EV1.2G | PEF24628EV1.2G LANTQDEUTSCHLAND SMD or Through Hole | PEF24628EV1.2G.pdf | |
![]() | 125CEAX+D | 125CEAX+D MAXIM SOIC | 125CEAX+D.pdf | |
![]() | LVPECL 311.0400MHZ | LVPECL 311.0400MHZ SANXION SMD or Through Hole | LVPECL 311.0400MHZ.pdf | |
![]() | ASVP48000MHZT | ASVP48000MHZT ABRACON SMD or Through Hole | ASVP48000MHZT.pdf | |
![]() | RC4132N | RC4132N RAYTHEON DIP-8 | RC4132N.pdf | |
![]() | K6R1016C1C-JP20 | K6R1016C1C-JP20 SAM SMD or Through Hole | K6R1016C1C-JP20.pdf | |
![]() | GA342D1XGF330JY02L | GA342D1XGF330JY02L MURATA SMD | GA342D1XGF330JY02L.pdf | |
![]() | NEZ7177-4 | NEZ7177-4 NEC SMD or Through Hole | NEZ7177-4.pdf | |
![]() | CL32B104KDINNN | CL32B104KDINNN SAMSUNG SMD | CL32B104KDINNN.pdf |