창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIT8008ACL1-18E | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SiT8008 Datasheet SIT8008 Part Number Guide | |
종류 | 수정 및 발진기 | |
제품군 | 프로그래밍 가능 발진기 | |
제조업체 | SiTIME | |
계열 | SiT8008 | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
유형 | MEMS(실리콘) | |
프로그래밍 가능 유형 | Digi-Key에서 프로그램(웹주문서에 해당 주파수대 기입요) | |
가용 주파수 범위 | 1MHz ~ 110MHz | |
기능 | 활성화/비활성화 | |
출력 | HCMOS, LVCMOS | |
전압 - 공급 | 1.8V | |
주파수 안정도 | ±20ppm | |
주파수 안정도(총) | - | |
작동 온도 | -20°C ~ 70°C | |
확산 대역 대역폭 | - | |
전류 - 공급(최대) | 3.9mA | |
등급 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
크기/치수 | 0.098" L x 0.079" W(2.50mm x 2.00mm) | |
높이 | 0.031"(0.80mm) | |
전류 - 공급(비활성화)(최대) | 3.8mA | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIT8008ACL1-18E | |
관련 링크 | SIT8008AC, SIT8008ACL1-18E 데이터 시트, SiTIME 에이전트 유통 |
RR50G122MDN1PH | 1200µF 4V Aluminum - Polymer Capacitors Radial, Can 5 mOhm 2000 Hrs @ 105°C | RR50G122MDN1PH.pdf | ||
402F30022IKR | 30MHz ±20ppm 수정 8pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F30022IKR.pdf | ||
DSP8-12S-TUB | DIODE ARRAY GP 1200V 11A TO263 | DSP8-12S-TUB.pdf | ||
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RT0805BRC07330RL | RES SMD 330 OHM 0.1% 1/8W 0805 | RT0805BRC07330RL.pdf | ||
11-0069-00(S) | 11-0069-00(S) ORIGINAL SSOP | 11-0069-00(S).pdf | ||
1S1P-GP85AAAHCB | 1S1P-GP85AAAHCB GPBATTERY SMD or Through Hole | 1S1P-GP85AAAHCB.pdf | ||
4ECK9002 6.3V82UF 6.3*6 | 4ECK9002 6.3V82UF 6.3*6 NIPPON SMD or Through Hole | 4ECK9002 6.3V82UF 6.3*6.pdf | ||
DQ15P4N | DQ15P4N ORIGINAL SMD or Through Hole | DQ15P4N.pdf | ||
MST9883110 | MST9883110 MSTAR SMD or Through Hole | MST9883110.pdf | ||
J2679-0A01 | J2679-0A01 NEC DIP | J2679-0A01.pdf | ||
MDS35-120 | MDS35-120 ST SOT-227 | MDS35-120.pdf |