창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIT3809AI-G-33SZ | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SiT3809 Datasheet SIT3809 Part Number Guide | |
종류 | 수정 및 발진기 | |
제품군 | 프로그래밍 가능 발진기 | |
제조업체 | SiTIME | |
계열 | SiT3809 | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
유형 | MEMS(실리콘) | |
프로그래밍 가능 유형 | Digi-Key에서 프로그램(웹주문서에 해당 주파수대 기입요) | |
가용 주파수 범위 | 80MHz ~ 220MHz | |
기능 | 대기 | |
출력 | LVCMOS, LVTTL | |
전압 - 공급 | 3.3V | |
주파수 안정도 | ±10ppm | |
주파수 안정도(총) | - | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
확산 대역 대역폭 | - | |
전류 - 공급(최대) | 36mA | |
등급 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
크기/치수 | 0.106" L x 0.094" W(2.70mm x 2.40mm) | |
높이 | 0.031"(0.80mm) | |
전류 - 공급(비활성화)(최대) | 70µA | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIT3809AI-G-33SZ | |
관련 링크 | SIT3809AI, SIT3809AI-G-33SZ 데이터 시트, SiTIME 에이전트 유통 |
![]() | BFC230344104 | 0.1µF Film Capacitor 63V 250V Polyester, Metallized Radial 0.492" L x 0.185" W (12.50mm x 4.70mm) | BFC230344104.pdf | |
![]() | 416F30022CTT | 30MHz ±20ppm 수정 6pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F30022CTT.pdf | |
![]() | SC52-6R8 | 6.8µH Unshielded Wirewound Inductor 1.4A 128 mOhm Max Nonstandard | SC52-6R8.pdf | |
![]() | CRCW121823R2FKEK | RES SMD 23.2 OHM 1% 1W 1218 | CRCW121823R2FKEK.pdf | |
![]() | CRCW08053K90JNEB | RES SMD 3.9K OHM 5% 1/8W 0805 | CRCW08053K90JNEB.pdf | |
![]() | MBB02070C3009FC100 | RES 30 OHM 0.6W 1% AXIAL | MBB02070C3009FC100.pdf | |
![]() | B8345 | B8345 PHI SMD or Through Hole | B8345.pdf | |
![]() | SLSNNBA825TSSMPL | SLSNNBA825TSSMPL SamsungSemiconduc SMD or Through Hole | SLSNNBA825TSSMPL.pdf | |
![]() | RN771V | RN771V ROHM SOD-323 | RN771V.pdf | |
![]() | 19-1212 | 19-1212 AMD SMD or Through Hole | 19-1212.pdf | |
![]() | KSC3296Y-TU | KSC3296Y-TU FAIRCHIL SMD or Through Hole | KSC3296Y-TU.pdf |