창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SIT3809AC-2-18SM | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SiT3809 Datasheet SIT3809 Part Number Guide | |
| 종류 | 수정 및 발진기 | |
| 제품군 | 프로그래밍 가능 발진기 | |
| 제조업체 | SiTIME | |
| 계열 | SiT3809 | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| 유형 | MEMS(실리콘) | |
| 프로그래밍 가능 유형 | Digi-Key에서 프로그램(웹주문서에 해당 주파수대 기입요) | |
| 가용 주파수 범위 | 80MHz ~ 220MHz | |
| 기능 | 대기 | |
| 출력 | LVCMOS, LVTTL | |
| 전압 - 공급 | 1.8V | |
| 주파수 안정도 | ±10ppm | |
| 주파수 안정도(총) | - | |
| 작동 온도 | -20°C ~ 70°C | |
| 확산 대역 대역폭 | - | |
| 전류 - 공급(최대) | 33mA | |
| 등급 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
| 크기/치수 | 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | |
| 높이 | 0.031"(0.80mm) | |
| 전류 - 공급(비활성화)(최대) | 10µA | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SIT3809AC-2-18SM | |
| 관련 링크 | SIT3809AC, SIT3809AC-2-18SM 데이터 시트, SiTIME 에이전트 유통 | |
![]() | C0805C399K5GACTU | 3.9pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C0805C399K5GACTU.pdf | |
![]() | SR891C102KARTR1 | 1000pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.215" L x 0.125" W(5.46mm x 3.18mm) | SR891C102KARTR1.pdf | |
![]() | VJ1812A750KBHAT4X | 75pF 3000V(3kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812A750KBHAT4X.pdf | |
![]() | PA2512FKF7T0R002E | RES SMD 0.002 OHM 1% 3W 2512 | PA2512FKF7T0R002E.pdf | |
![]() | 56C366-532 | 56C366-532 NOVATEK DIP24 | 56C366-532.pdf | |
![]() | TLP545J(N.F) | TLP545J(N.F) TOSHIBA DIP | TLP545J(N.F).pdf | |
![]() | 7V32000035 | 7V32000035 TXC() SMD or Through Hole | 7V32000035.pdf | |
![]() | QG82MUK QL91ES | QG82MUK QL91ES INTEL BGA | QG82MUK QL91ES.pdf | |
![]() | MAX9041BEUT-T | MAX9041BEUT-T MAXIM SOT-23-6 | MAX9041BEUT-T.pdf | |
![]() | MTP4N50 | MTP4N50 ST TO-220 | MTP4N50.pdf | |
![]() | VT7353 | VT7353 VOS TQFP | VT7353.pdf | |
![]() | XF2M-2015-1L-R100 | XF2M-2015-1L-R100 OMRON PIN20 | XF2M-2015-1L-R100.pdf |