창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SIT3808AI-D-33SE | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SiT3808 Datasheet SIT3808 Part Number Guide | |
| 종류 | 수정 및 발진기 | |
| 제품군 | 프로그래밍 가능 발진기 | |
| 제조업체 | SiTIME | |
| 계열 | SiT3808 | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 유형 | MEMS VCXO | |
| 프로그래밍 가능 유형 | Digi-Key에서 프로그램(웹주문서에 해당 주파수대 기입요) | |
| 가용 주파수 범위 | 1MHz ~ 80MHz | |
| 기능 | 대기 | |
| 출력 | LVCMOS, LVTTL | |
| 전압 - 공급 | 3.3V | |
| 주파수 안정도 | ±10ppm | |
| 주파수 안정도(총) | - | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
| 확산 대역 대역폭 | - | |
| 전류 - 공급(최대) | 33mA | |
| 등급 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
| 크기/치수 | 0.276" L x 0.197" W(7.00mm x 5.00mm) | |
| 높이 | 0.039"(1.00mm) | |
| 전류 - 공급(비활성화)(최대) | 70µA | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SIT3808AI-D-33SE | |
| 관련 링크 | SIT3808AI, SIT3808AI-D-33SE 데이터 시트, SiTIME 에이전트 유통 | |
![]() | ECS-147.4-20-5PVX | 14.7456MHz ±30ppm 수정 20pF 50옴 -10°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | ECS-147.4-20-5PVX.pdf | |
![]() | RNF18FTD1M96 | RES 1.96M OHM 1/8W 1% AXIAL | RNF18FTD1M96.pdf | |
![]() | WCBF10JB6K80 | RES CERM WW 10W 6.8K OHM 5% | WCBF10JB6K80.pdf | |
![]() | IS42S16320B-7BLTR | IS42S16320B-7BLTR ISSI SMD or Through Hole | IS42S16320B-7BLTR.pdf | |
![]() | SPZ8905959335T | SPZ8905959335T ORIGINAL SMD or Through Hole | SPZ8905959335T.pdf | |
![]() | W85NE10-6 | W85NE10-6 ST TO-3P | W85NE10-6.pdf | |
![]() | MB654622 | MB654622 FUJITSU NULL | MB654622.pdf | |
![]() | 24LC028B/P | 24LC028B/P ORIGINAL SOPDIP | 24LC028B/P.pdf | |
![]() | BUV28/DIV | BUV28/DIV ORIGINAL SMD or Through Hole | BUV28/DIV.pdf | |
![]() | MBR3030CTLPBF | MBR3030CTLPBF IR TO-263 | MBR3030CTLPBF.pdf | |
![]() | TDA12011H/N1D41 | TDA12011H/N1D41 PHILIPS ORIGINAL | TDA12011H/N1D41.pdf | |
![]() | CBC2016T470K-T | CBC2016T470K-T TAIYO SMD | CBC2016T470K-T.pdf |