창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIT3808AI-D-28NB | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SiT3808 Datasheet SIT3808 Part Number Guide | |
종류 | 수정 및 발진기 | |
제품군 | 프로그래밍 가능 발진기 | |
제조업체 | SiTIME | |
계열 | SiT3808 | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
유형 | MEMS VCXO | |
프로그래밍 가능 유형 | Digi-Key에서 프로그램(웹주문서에 해당 주파수대 기입요) | |
가용 주파수 범위 | 1MHz ~ 80MHz | |
기능 | - | |
출력 | LVCMOS, LVTTL | |
전압 - 공급 | 2.8V | |
주파수 안정도 | ±10ppm | |
주파수 안정도(총) | - | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
확산 대역 대역폭 | - | |
전류 - 공급(최대) | 33mA | |
등급 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
크기/치수 | 0.276" L x 0.197" W(7.00mm x 5.00mm) | |
높이 | 0.039"(1.00mm) | |
전류 - 공급(비활성화)(최대) | - | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIT3808AI-D-28NB | |
관련 링크 | SIT3808AI, SIT3808AI-D-28NB 데이터 시트, SiTIME 에이전트 유통 |
VJ0402D5R1CLXAP | 5.1pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D5R1CLXAP.pdf | ||
ASTMHTFL-27.000MHZ-XC-E-T3 | 27MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTFL-27.000MHZ-XC-E-T3.pdf | ||
BYW172D-TAP | DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64 | BYW172D-TAP.pdf | ||
UPR60/TR7 | DIODE GEN PURP 600V 2A POWERMITE | UPR60/TR7.pdf | ||
CDRH127/LDNP-270MC | 27µH Shielded Inductor 4.2A 41.6 mOhm Max Nonstandard | CDRH127/LDNP-270MC.pdf | ||
ERJ-1TNF2373U | RES SMD 237K OHM 1% 1W 2512 | ERJ-1TNF2373U.pdf | ||
S3B-PH-SM4-TB(LF) | S3B-PH-SM4-TB(LF) JST SMD or Through Hole | S3B-PH-SM4-TB(LF).pdf | ||
HMC232LP4 | HMC232LP4 HMC QFN | HMC232LP4.pdf | ||
7915K | 7915K MICROSEMI SMD | 7915K.pdf | ||
M37641M8-115FP | M37641M8-115FP MITSUBISHI SMD or Through Hole | M37641M8-115FP.pdf | ||
MAX803MEXR+TCT | MAX803MEXR+TCT MAX MAX803MEXRTCT | MAX803MEXR+TCT.pdf | ||
EL357N(A) | EL357N(A) ORIGINAL SOP-4 | EL357N(A).pdf |