창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIT3808AI-C-28EY | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SiT3808 Datasheet SIT3808 Part Number Guide | |
종류 | 수정 및 발진기 | |
제품군 | 프로그래밍 가능 발진기 | |
제조업체 | SiTIME | |
계열 | SiT3808 | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
유형 | MEMS VCXO | |
프로그래밍 가능 유형 | Digi-Key에서 프로그램(웹주문서에 해당 주파수대 기입요) | |
가용 주파수 범위 | 1MHz ~ 80MHz | |
기능 | 활성화/비활성화 | |
출력 | LVCMOS, LVTTL | |
전압 - 공급 | 2.8V | |
주파수 안정도 | ±10ppm | |
주파수 안정도(총) | - | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
확산 대역 대역폭 | - | |
전류 - 공급(최대) | 33mA | |
등급 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
크기/치수 | 0.197" L x 0.126" W(5.00mm x 3.20mm) | |
높이 | 0.031"(0.80mm) | |
전류 - 공급(비활성화)(최대) | 70µA | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIT3808AI-C-28EY | |
관련 링크 | SIT3808AI, SIT3808AI-C-28EY 데이터 시트, SiTIME 에이전트 유통 |
TMK325BJ106MN-T | 10µF 25V 세라믹 커패시터 X5R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | TMK325BJ106MN-T.pdf | ||
MKP385515016JII2B0 | 1.5µF Film Capacitor 110V 160V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.024" L x 0.335" W (26.00mm x 8.50mm) | MKP385515016JII2B0.pdf | ||
VS-16FL100S10 | DIODE STD REC 16A 1000V DO-203AA | VS-16FL100S10.pdf | ||
MCR03EZPFX1401 | RES SMD 1.4K OHM 1% 1/10W 0603 | MCR03EZPFX1401.pdf | ||
Y006032K4000B9L | RES 32.4K OHM 1/4W 0.1% AXIAL | Y006032K4000B9L.pdf | ||
38.4MHZ | 38.4MHZ ORIGINAL SMD or Through Hole | 38.4MHZ.pdf | ||
ST330S10P0 | ST330S10P0 ORIGINAL SMD or Through Hole | ST330S10P0.pdf | ||
IX2203VA-T4(CXA3233N) | IX2203VA-T4(CXA3233N) SONY SSOP | IX2203VA-T4(CXA3233N).pdf | ||
NJU7200U32 | NJU7200U32 NJR SOT23-5 | NJU7200U32.pdf | ||
1MIB400NN-120 | 1MIB400NN-120 FUJI SMD or Through Hole | 1MIB400NN-120.pdf | ||
TSB43BA42A | TSB43BA42A TI BGA | TSB43BA42A.pdf | ||
MM251B | MM251B MM SOP-8 | MM251B.pdf |