창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SIT3808AI-C-18EE | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SiT3808 Datasheet SIT3808 Part Number Guide | |
| 종류 | 수정 및 발진기 | |
| 제품군 | 프로그래밍 가능 발진기 | |
| 제조업체 | SiTIME | |
| 계열 | SiT3808 | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 유형 | MEMS VCXO | |
| 프로그래밍 가능 유형 | Digi-Key에서 프로그램(웹주문서에 해당 주파수대 기입요) | |
| 가용 주파수 범위 | 1MHz ~ 80MHz | |
| 기능 | 활성화/비활성화 | |
| 출력 | LVCMOS, LVTTL | |
| 전압 - 공급 | 1.8V | |
| 주파수 안정도 | ±10ppm | |
| 주파수 안정도(총) | - | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
| 확산 대역 대역폭 | - | |
| 전류 - 공급(최대) | 31mA | |
| 등급 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
| 크기/치수 | 0.197" L x 0.126" W(5.00mm x 3.20mm) | |
| 높이 | 0.031"(0.80mm) | |
| 전류 - 공급(비활성화)(최대) | 10µA | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SIT3808AI-C-18EE | |
| 관련 링크 | SIT3808AI, SIT3808AI-C-18EE 데이터 시트, SiTIME 에이전트 유통 | |
![]() | ASEMPLP-125.000MHZ-LR-T | 125MHz LVPECL MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 35mA Enable/Disable | ASEMPLP-125.000MHZ-LR-T.pdf | |
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![]() | MGV0605R68M-10 | 680nH Shielded Wirewound Inductor 18A 4.5 mOhm Max Nonstandard | MGV0605R68M-10.pdf | |
![]() | RSF2FBR681 | RES MO 2W 0.681 OHM 1% AXIAL | RSF2FBR681.pdf | |
![]() | DS18B20+PAR | SENSOR TEMPERATURE 1-WIRE TO92-3 | DS18B20+PAR.pdf | |
![]() | OSC 44MHZ | OSC 44MHZ KDS SMD or Through Hole | OSC 44MHZ.pdf | |
![]() | 1N5408T | 1N5408T MIC DO201 | 1N5408T.pdf | |
![]() | BMR61049/07 | BMR61049/07 N NA | BMR61049/07.pdf | |
![]() | ERJ1GEJ3R0C | ERJ1GEJ3R0C panasoni SMD | ERJ1GEJ3R0C.pdf | |
![]() | NLC322522T-100J-N | NLC322522T-100J-N CHILISIN SMD | NLC322522T-100J-N.pdf | |
![]() | K7N803645B-QI16000 | K7N803645B-QI16000 SAMSUNG QFP100 | K7N803645B-QI16000.pdf |